IS61WV1288EEBLL-10HLI-TR 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高速异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片具有128K位的存储容量,采用x8的组织方式,工作电压为3.3V。IS61WV1288EEBLL-10HLI-TR专为高性能系统设计,具备低延迟和高速访问能力,适用于需要快速数据访问的场合。
容量:128Kbit
组织方式:x8
工作电压:3.3V
访问时间:10ns
封装类型:TSOP
工作温度范围:-40°C至+85°C
封装引脚数:54
封装尺寸:52-TSOP
接口类型:并行
最大工作频率:114MHz
功耗(典型值):120mA(工作模式)
IS61WV1288EEBLL-10HLI-TR是一款高性能的异步SRAM芯片,具备出色的访问速度和稳定性。其10ns的访问时间使其适用于需要快速响应的系统应用。该芯片采用3.3V电源供电,具有较低的功耗和较高的集成度,适用于多种工业和通信设备。
这款SRAM芯片采用异步设计,无需外部时钟信号,简化了控制逻辑,提高了系统的灵活性。同时,其高速访问能力确保了数据在处理器和存储器之间的快速传输,提升了整体系统性能。
IS61WV1288EEBLL-10HLI-TR具有宽广的工作温度范围(-40°C至+85°C),能够在各种环境条件下稳定运行。其TSOP封装形式不仅节省空间,还提供了良好的热管理和电气性能,适用于紧凑型和高密度电路板设计。
此外,该芯片的低待机电流特性有助于在低功耗模式下减少能耗,延长设备的使用寿命,并满足现代电子设备对节能环保的需求。
IS61WV1288EEBLL-10HLI-TR广泛应用于需要高速数据存储和快速访问的嵌入式系统、网络设备、通信模块、工业控制设备以及消费类电子产品中。其高速特性和低功耗设计使其成为路由器、交换机、智能卡终端、打印机和其他高性能系统的理想选择。
例如,在网络设备中,该芯片可用于缓存数据包,提高数据处理速度和系统响应能力。在工业控制系统中,它可以作为临时数据存储器,确保关键数据的快速读写和可靠存储。此外,在消费电子产品中,如高端打印机或智能家电,IS61WV1288EEBLL-10HLI-TR可以提供稳定的数据存储支持,提升设备的整体性能。
IS61WV1288EEBLL-10BLL-TR, IS61WV1288EEBLL-12BLL-TR, CY62148EAVTA10ZSXI, IDT71V128SA10PFGI