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IS61WV1288EEBLL-10HLI-TR 发布时间 时间:2025/9/1 16:13:39 查看 阅读:11

IS61WV1288EEBLL-10HLI-TR 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高速异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片具有128K位的存储容量,采用x8的组织方式,工作电压为3.3V。IS61WV1288EEBLL-10HLI-TR专为高性能系统设计,具备低延迟和高速访问能力,适用于需要快速数据访问的场合。

参数

容量:128Kbit
  组织方式:x8
  工作电压:3.3V
  访问时间:10ns
  封装类型:TSOP
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  封装引脚数:54
  封装尺寸:52-TSOP
  接口类型:并行
  最大工作频率:114MHz
  功耗(典型值):120mA(工作模式)

特性

IS61WV1288EEBLL-10HLI-TR是一款高性能的异步SRAM芯片,具备出色的访问速度和稳定性。其10ns的访问时间使其适用于需要快速响应的系统应用。该芯片采用3.3V电源供电,具有较低的功耗和较高的集成度,适用于多种工业和通信设备。
  这款SRAM芯片采用异步设计,无需外部时钟信号,简化了控制逻辑,提高了系统的灵活性。同时,其高速访问能力确保了数据在处理器和存储器之间的快速传输,提升了整体系统性能。
  IS61WV1288EEBLL-10HLI-TR具有宽广的工作温度范围(-40°C至+85°C),能够在各种环境条件下稳定运行。其TSOP封装形式不仅节省空间,还提供了良好的热管理和电气性能,适用于紧凑型和高密度电路板设计。
  此外,该芯片的低待机电流特性有助于在低功耗模式下减少能耗,延长设备的使用寿命,并满足现代电子设备对节能环保的需求。

应用

IS61WV1288EEBLL-10HLI-TR广泛应用于需要高速数据存储和快速访问的嵌入式系统、网络设备、通信模块、工业控制设备以及消费类电子产品中。其高速特性和低功耗设计使其成为路由器、交换机、智能卡终端、打印机和其他高性能系统的理想选择。
  例如,在网络设备中,该芯片可用于缓存数据包,提高数据处理速度和系统响应能力。在工业控制系统中,它可以作为临时数据存储器,确保关键数据的快速读写和可靠存储。此外,在消费电子产品中,如高端打印机或智能家电,IS61WV1288EEBLL-10HLI-TR可以提供稳定的数据存储支持,提升设备的整体性能。

替代型号

IS61WV1288EEBLL-10BLL-TR, IS61WV1288EEBLL-12BLL-TR, CY62148EAVTA10ZSXI, IDT71V128SA10PFGI

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IS61WV1288EEBLL-10HLI-TR参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格2,000 : ¥12.99316卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式SRAM
  • 技术SRAM - 异步
  • 存储容量1Mb
  • 存储器组织128K x 8
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率-
  • 写周期时间 - 字,页10ns
  • 访问时间10 ns
  • 电压 - 供电2.4V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳32-TFSOP(0.465",11.80mm 宽)
  • 供应商器件封装32-sTSOP I