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IS61WV12824-8BL 发布时间 时间:2025/12/28 17:43:21 查看 阅读:25

IS61WV12824-8BL是一款高速异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片,由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)制造。该芯片采用CMOS技术,提供高性能和低功耗的特性,适用于需要高速数据存取的应用场景。

参数

容量:128K x 24位
  访问时间:8ns
  工作电压:3.3V
  封装类型:TSOP
  工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)

特性

IS61WV12824-8BL芯片具有高速访问时间,确保了在高频操作下的优异性能。其低功耗设计使其适用于对能耗敏感的应用场景,同时CMOS技术提供了良好的抗噪性能和稳定性。该芯片采用TSOP封装形式,节省空间,适用于高密度电路板设计。工业级的工作温度范围使得该芯片可以在各种苛刻的环境条件下正常运行。

应用

IS61WV12824-8BL广泛应用于网络设备、通信系统、工业控制设备、医疗设备以及高性能嵌入式系统中,作为高速缓存或临时数据存储单元。其优异的性能使其成为需要快速数据处理和低延迟的应用场景中的理想选择。

替代型号

IS61WV12824-8BLL, CY7C1380C-8B4B, IDT71V416S8PFG

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IS61WV12824-8BL参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格168 : ¥70.75036托盘
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式SRAM
  • 技术SRAM - 异步
  • 存储容量3Mb
  • 存储器组织128K x 24
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率-
  • 写周期时间 - 字,页8ns
  • 访问时间8 ns
  • 电压 - 供电3.135V ~ 3.465V
  • 工作温度0°C ~ 70°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳119-BBGA
  • 供应商器件封装119-PBGA(14x22)