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IS61WV12824-8BL-TR 发布时间 时间:2025/12/28 17:36:16 查看 阅读:44

IS61WV12824-8BL-TR 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高速异步静态随机存取存储器(Static RAM,SRAM)芯片。该器件具有高速访问时间、低功耗和高可靠性等优点,适用于需要高性能存储解决方案的工业控制、网络设备、通信系统和嵌入式系统等领域。IS61WV12824-8BL-TR 采用 3.3V 电源供电,支持异步操作,具有 128K x 24 位的存储容量,访问时间低至 8ns。

参数

容量:128K x 24 位
  访问时间:8ns
  电压:3.3V
  封装:TSOP
  温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  引脚数:54
  工作模式:异步
  数据宽度:24 位
  封装类型:表面贴装(SMD/SMT)

特性

IS61WV12824-8BL-TR SRAM 芯片具备多项优异特性,适合高性能存储需求。其主要特性包括高速访问、低功耗、宽温度范围以及高可靠性。
  首先,该芯片的访问时间仅为 8ns,能够满足高速数据存取的要求,适用于对时间敏感的实时系统。其异步控制逻辑设计使得其在多种系统架构中都能灵活应用,无需额外的时钟同步电路。
  其次,IS61WV12824-8BL-TR 工作电压为 3.3V,具有较低的功耗特性,尤其适用于嵌入式系统和便携式设备中对电源管理有较高要求的场景。在待机模式下,芯片的功耗进一步降低,有助于延长设备的电池寿命。
  此外,该芯片支持工业级温度范围(-40°C 至 +85°C),具备良好的温度适应性和稳定性,适用于各种恶劣环境下的工业控制系统和通信设备。
  IS61WV12824-8BL-TR 采用 54 引脚 TSOP 封装,符合表面贴装工艺标准,便于自动化生产和 PCB 布局。该封装形式也具有较好的散热性能,确保芯片在高负载条件下仍能稳定运行。
  最后,该芯片具备良好的抗干扰能力和长期工作稳定性,广泛应用于网络交换设备、工业控制主板、医疗电子设备以及测试测量仪器等领域。

应用

IS61WV12824-8BL-TR SRAM 芯片因其高速度和低功耗的特性,被广泛应用于多个高性能电子系统领域。首先,在工业自动化控制领域,该芯片可作为高速缓存或临时数据存储器,用于处理实时控制信号和传感器数据,提高系统的响应速度和数据处理能力。
  其次,在通信设备中,例如路由器、交换机和无线基站,IS61WV12824-8BL-TR 可用于高速数据缓存和队列管理,确保数据包的快速转发和处理,提高网络传输效率。
  此外,在嵌入式系统和消费类电子产品中,该芯片适用于需要临时存储大量数据或程序代码的场合,如智能家电、多媒体播放器和便携式测量仪器等。
  在测试与测量设备中,如示波器、逻辑分析仪和频谱分析仪,该芯片可用于高速数据采集和缓冲存储,确保测试数据的完整性和准确性。
  IS61WV12824-8BL-TR 还适用于军工和航空航天领域,由于其宽温度范围和高可靠性,可作为关键系统中的存储单元,确保设备在极端环境下的稳定运行。

替代型号

IS61WV12824-8BLL-TR, CY62148EVLL-85B, IDT71V416SA8B, IS64WV25616-8BLL-TR

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IS61WV12824-8BL-TR参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1,000 : ¥65.58670卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式SRAM
  • 技术SRAM - 异步
  • 存储容量3Mb
  • 存储器组织128K x 24
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率-
  • 写周期时间 - 字,页8ns
  • 访问时间8 ns
  • 电压 - 供电3.135V ~ 3.465V
  • 工作温度0°C ~ 70°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳119-BBGA
  • 供应商器件封装119-PBGA(14x22)