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IS61WV10248BLL-10TLI 发布时间 时间:2025/9/1 10:40:15 查看 阅读:6

IS61WV10248BLL-10TLI是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution Inc.)制造的高速异步静态随机存取存储器(SRAM)。该芯片的容量为1Mbit(128K x 8),采用高速CMOS工艺制造,适用于需要高性能和低功耗的工业和商业应用。IS61WV10248BLL-10TLI的封装形式为48引脚TSOP(Thin Small Outline Package),工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于各种工业环境。该SRAM芯片广泛应用于网络设备、通信设备、计算机外设、工业控制系统等领域。

参数

容量:1Mbit (128K x 8)
  组织结构:x8
  电源电压:2.3V至3.6V
  访问时间:10ns
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  封装类型:48引脚TSOP
  输入/输出电平:CMOS兼容
  最大工作频率:100MHz
  待机电流:最大10mA(典型值)
  工作电流:最大200mA(典型值)

特性

IS61WV10248BLL-10TLI SRAM芯片具有多项优异的性能特点,适用于高速数据存储和缓存应用。其主要特性包括:
  1. 高速访问能力:该芯片的访问时间仅为10ns,能够支持高达100MHz的工作频率,满足高速数据处理的需求,适用于实时系统和高性能嵌入式系统。
  2. 宽电压范围:IS61WV10248BLL-10TLI支持2.3V至3.6V的电源电压,提供了良好的电压兼容性,适用于多种电源管理系统。
  3. 低功耗设计:该芯片在待机模式下的电流消耗极低,典型值为10mA,工作模式下的电流消耗也控制在合理范围内,适合对功耗敏感的应用场景。
  4. 工业级温度范围:其工作温度范围为-40°C至+85°C,能够在严苛的工业环境中稳定运行,适用于工业自动化、通信设备和网络设备等应用。
  5. 高可靠性:采用先进的CMOS工艺制造,确保了芯片在各种工作条件下的稳定性和可靠性,适用于长时间运行的系统。
  6. 封装紧凑:48引脚TSOP封装形式节省了PCB空间,适用于高密度电路设计,同时也便于自动化装配和生产。

应用

IS61WV10248BLL-10TLI SRAM芯片由于其高速、低功耗和工业级工作温度范围,广泛应用于多个领域。主要应用包括:
  1. 网络与通信设备:如路由器、交换机和通信基站,用于高速缓存和临时数据存储。
  2. 工业控制系统:如PLC控制器、工业计算机和自动化设备,作为系统缓存和运行时数据存储。
  3. 计算机外设:如打印机、扫描仪和数据采集设备,用于临时数据缓冲和存储。
  4. 消费类电子产品:部分高端消费设备如智能家电和多媒体播放器也采用该芯片进行高速数据处理。
  5. 医疗电子设备:用于医疗成像设备、监护仪等对数据处理速度和稳定性有较高要求的场合。
  6. 测试与测量设备:如示波器、信号发生器等测试仪器,用于高速数据采集和缓存。

替代型号

IS61WV10248BLL-10TLI的替代型号包括IS61WV10248BLL-12TLI(访问时间12ns,功耗更低)、IS62WV10248BLL-55TLI(高速5.5ns访问时间)、CY62148E(Cypress的1Mbit SRAM)以及AS6C1008-10TIN(Alliance Memory的替代型号)。

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IS61WV10248BLL-10TLI参数

  • 制造商ISSI
  • 产品种类静态随机存取存储器
  • 存储容量8 Mbit
  • 访问时间10 ns
  • Supply Voltage - Max3.6 V
  • Supply Voltage - Min2.4 V
  • 最大工作电流100 mA
  • 最大工作温度+ 85 C
  • 最小工作温度- 40 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体TSOP-II
  • 封装Tray
  • 端口数量2
  • 工厂包装数量135
  • 类型Asynchronous