时间：2025/9/1 9:38:24
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IS61WV10248BLL-10MLI是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）生产的高速异步静态随机存取存储器（SRAM）。该器件采用高性能CMOS技术制造，具有低功耗和高速访问时间的特点，适用于需要高可靠性和快速响应的系统应用。该SRAM具有1Mbit的存储容量，组织为128K x 8位，并支持工业级温度范围，适合在广泛的工业和通信设备中使用。
容量：1Mbit（128K x 8）
电源电压：2.3V至3.6V
访问时间：10ns
封装类型：48-TSOP
温度范围：-40°C至+85°C（工业级）
封装尺寸：具体尺寸需参考数据手册
最大工作频率：100MHz（基于访问时间）
输入/输出电平：TTL兼容
封装材料：符合RoHS标准
IS61WV10248BLL-10MLI具有多项优良特性，包括高速访问时间、宽电压工作范围和低功耗设计。其10ns的访问时间使得该SRAM适用于高速缓存、网络设备、工业控制系统和嵌入式系统等对响应速度要求较高的应用场合。此外，该芯片支持2.3V至3.6V的电源电压范围，具有良好的兼容性，可以适应多种电源设计需求。在电源管理方面，该SRAM具备待机模式，可在不需要数据访问时显著降低功耗，从而延长设备的电池寿命或降低整体功耗。
该器件采用CMOS技术，具备高噪声抑制能力和稳定性，能够在恶劣的电磁环境中保持可靠运行。其工业级温度范围（-40°C至+85°C）使其适用于户外设备、工业自动化设备和车载系统等极端温度环境。封装方面，该芯片采用48-TSOP封装形式，具有良好的热管理和空间利用率，适合高密度PCB布局。此外，该SRAM引脚与标准SRAM兼容，便于替换和升级。
IS61WV10248BLL-10MLI广泛应用于需要高性能和高可靠性的电子系统中。常见的应用包括通信设备（如路由器、交换机）、工业控制设备（如PLC、HMI）、医疗设备、嵌入式系统（如手持终端、数据采集设备）、测试与测量仪器以及汽车电子系统（如车载导航、车身控制模块）。由于其高速访问时间和宽工作温度范围，该SRAM非常适合用于实时控制系统和数据缓存场景，能够有效提升系统的响应速度和数据处理能力。
IS61WV10248BLL-10MI、IS61WV10248BLL-12MLI、CY62148E、IDT71V128SA、AS6C1008-10SIN
