时间：2025/9/1 9:43:33
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IS61WV102416DBLL-10TLI 是一颗由 Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）制造的高速异步静态随机存取存储器（Static RAM，SRAM）芯片。这款SRAM芯片的容量为1 Mbit（128K x 8 或 64K x 16），采用高速CMOS工艺制造，具有低功耗和高性能的特点。该芯片广泛用于需要高速数据存取的嵌入式系统、工业控制、通信设备和网络设备等领域。IS61WV102416DBLL-10TLI 采用 54 引脚 TSOP（Thin Small Outline Package）封装，适合在工业级温度范围内（-40°C 至 +85°C）工作，适用于各种严苛环境。
容量：1 Mbit（128K x 8 / 64K x 16）
访问时间：10 ns
电源电压：2.3V 至 3.6V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：54-TSOP
封装尺寸：54-TSOP（18.4mm x 12.0mm）
接口类型：异步SRAM
数据宽度：8/16位
读写操作：异步读/写操作
功耗：典型工作电流约 180 mA（最大）
待机电流：最大 10 mA
IS61WV102416DBLL-10TLI SRAM芯片具有多项出色的性能特性。首先，其高速访问时间（10 ns）使其适用于需要快速数据读取和写入的应用场景，能够显著提高系统的整体响应速度。其次，该芯片支持8位或16位的数据总线宽度配置，提供了更大的灵活性，可适应不同的系统设计需求。
在功耗方面，IS61WV102416DBLL-10TLI 在工作模式下典型电流为180 mA，而在待机模式下电流低至10 mA以内，使其适用于对功耗敏感的应用。此外，该芯片的电源电压范围为2.3V至3.6V，兼容多种电源管理方案，并支持宽电压范围的系统设计。
该芯片采用工业级温度范围设计（-40°C至+85°C），适用于各种严苛的工业和通信环境。其54-TSOP封装形式不仅节省空间，还便于自动化装配和高密度布局，非常适合用于嵌入式系统、路由器、交换机、工业控制器等设备中。
IS61WV102416DBLL-10TLI 被广泛应用于多种高性能嵌入式系统和工业设备中。例如，在通信设备中，该SRAM芯片常用于高速缓存存储器，用于临时存储网络数据包或处理指令，以提升数据处理速度和系统响应能力。在工业控制系统中，它可用于存储实时数据、程序代码或配置参数，确保系统在断电或重启时保持数据完整性。
此外，IS61WV102416DBLL-10TLI 也常用于高端打印机、扫描仪、医疗设备、测试设备和自动化控制设备中，作为主存储器或高速缓冲存储器，提高设备的运行效率和稳定性。由于其宽温特性和低功耗设计，它也非常适合用于车载电子系统、安防监控设备和远程终端设备（RTU）等对可靠性和稳定性要求较高的应用场景。
IS61WV102416DBLL-8TLI, CY62148EVLL-10ZS, IDT71V128SA10PFG, IS64WV101616EBLL-10TLI
