时间：2025/7/19 0:31:37
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IS61WV102416BLL是一款高速异步静态随机存取存储器（SRAM），由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）制造。该芯片具有1024K位的存储容量，组织为128K x 8位或64K x 16位两种模式，适用于需要高速数据存取的应用场合。IS61WV102416BLL采用CMOS工艺制造，具有低功耗和高速访问时间的特点，是工业级器件，适用于广泛的工业、通信和消费类电子产品。
容量：1Mbit
组织结构：128K x 8 / 64K x 16
电源电压：3.3V 或 2.5V（具体型号取决于后缀）
访问时间：55ns、70ns等可选
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
封装类型：54引脚TSOP
接口类型：异步
IS61WV102416BLL SRAM芯片具备多项高性能特性，包括高速访问时间，可选55ns或70ns等不同速度等级，确保了数据的快速读写操作。其采用的CMOS工艺不仅提升了芯片的稳定性，也有效降低了功耗，使其在高频工作状态下仍能保持较低的热量。该芯片支持异步操作，无需时钟信号同步，简化了系统设计。其1Mbit的存储容量可以满足中等规模数据缓存的需求，适用于网络设备、通信模块、图像处理系统以及嵌入式控制设备等应用场景。
此外，IS61WV102416BLL采用54引脚TSOP封装，符合行业标准，便于在PCB上布局和安装。该器件具有良好的抗干扰能力和高可靠性，能够在工业级温度范围内稳定工作。其数据保持时间长，具备非易失性读写特性，适用于需要频繁访问和实时数据处理的应用。芯片的地址和数据总线独立，支持全地址解码和部分解码模式，提高了系统的灵活性和扩展性。
IS61WV102416BLL SRAM广泛应用于各种需要高速数据存储和访问的电子系统中。典型应用包括路由器、交换机、工业控制器、嵌入式系统、视频采集卡、打印机缓冲存储器、测试测量设备以及医疗电子设备等。由于其高速、低功耗和工业级温度范围的特性，该芯片在需要可靠性和稳定性的高端应用中尤为受欢迎。
IS61LV102416ALB, CY7C1021DV33, IDT71V128SA, IS64LV102416A
