IS61WV102416BLL-10MLI 是一款高速、低功耗的静态随机存取存储器(SRAM),由 ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)制造。该芯片具有 1M x 16 的存储容量,总容量为 16Mb。它采用先进的 CMOS 技术制造,适用于需要高可靠性和快速访问时间的应用场景。
该 SRAM 提供了宽电压范围和多种封装选项,支持工业级工作温度范围,确保在各种环境下都能稳定运行。其低功耗特性和快速访问时间使其成为嵌入式系统、网络设备和消费电子产品的理想选择。
容量:16Mb (1M x 16)
核心电压:1.71V 至 1.98V
接口电压:1.65V 至 1.98V
数据宽度:16 位
访问时间:10ns
工作温度:-40°C 至 +85°C
封装类型:TQFP-100
引脚间距:0.5mm
功耗:典型值 150mW
IS61WV102416BLL-10MLI 具有以下显著特点:
1. 高速性能:提供 10ns 的快速访问时间,能够满足实时应用的需求。
2. 低功耗设计:优化的 CMOS 工艺使其在高性能的同时保持较低的功耗水平。
3. 宽电压支持:支持 1.71V 至 1.98V 的核心电压和 1.65V 至 1.98V 的接口电压,适应不同电源需求。
4. 多种封装选择:提供标准 TQFP-100 封装,便于集成到各种电路板中。
5. 稳定的工作温度范围:能够在 -40°C 至 +85°C 的工业级温度范围内可靠运行。
6. 易于使用:简单直观的命令结构和兼容性设计,降低了开发难度。
这些特性使得 IS61WV102416BLL-10MLI 成为需要大容量、高速度和低功耗存储解决方案的理想选择。
IS61WV102416BLL-10MLI 广泛应用于以下领域:
1. 嵌入式系统:用于存储临时数据和程序代码,提升系统的响应速度。
2. 网络设备:在网络交换机、路由器等设备中作为缓存,提高数据传输效率。
3. 消费电子产品:如数字电视、机顶盒等需要快速访问存储的场合。
4. 工业自动化:在控制模块中作为高速数据缓冲区。
5. 医疗设备:用于图像处理和数据采集的临时存储。
6. 军用及航空航天:由于其可靠的性能和宽温范围,适用于严苛环境下的应用。
总之,任何需要高性能、低功耗 SRAM 的应用场景都可以考虑使用 IS61WV102416BLL-10MLI。
IS61WV102416BBL-10BLLI
IS61WV102416BLL-12MLI
IS61WV102416BBL-12BLLI