时间：2025/9/1 18:12:46
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IS61WV102416BLL-10MLI-TR是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）生产的高速异步静态随机存取存储器（SRAM）。这款SRAM的容量为1Mbit，组织形式为1024K x 16位。它采用了高性能的CMOS工艺制造，具有低功耗和高速访问时间的特点。该芯片适用于需要高速数据存取和高可靠性的应用场景。
容量：1Mbit（1024K x 16位）
电源电压：2.3V至3.6V
访问时间：10ns
封装类型：54引脚TSOP
工作温度范围：-40°C至+85°C
读取电流（典型值）：250mA
待机电流（典型值）：10mA
数据保持电压：1.5V以上
IS61WV102416BLL-10MLI-TR SRAM具有多个显著的性能特点。首先，其高速访问时间为10ns，能够满足高速数据处理和实时系统的需求。其次，该芯片支持2.3V至3.6V的宽电压范围，适应多种电源设计环境。此外，芯片的低功耗特性在待机模式下仅为10mA的典型电流消耗，适合对功耗敏感的应用。该SRAM还支持异步操作，便于与多种控制器或微处理器接口。封装方面，采用54引脚TSOP封装，具有良好的热性能和空间利用率。芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C，适合工业级应用环境。此外，其数据保持电压在1.5V以上即可维持存储数据，提高了在低功耗模式下的数据可靠性。
IS61WV102416BLL-10MLI-TR SRAM适用于多种需要高速存储和低功耗的设计场景。典型应用包括网络设备、通信系统、工业控制系统、图像处理设备、嵌入式系统和消费类电子产品。由于其高速访问时间和宽工作温度范围，它也广泛用于汽车电子系统，如车载导航、车载信息娱乐系统（IVI）和高级驾驶辅助系统（ADAS）。此外，该芯片还可用于测试和测量设备、数据采集系统以及高性能计算模块。
IS61WV102416BLL-10SR
