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IS61VVPS204818B-166B3LI-TR 发布时间 时间:2025/9/1 15:25:41 查看 阅读:6

IS61VVPS204818B-166B3LI-TR是一款高速、低功耗的静态随机存取存储器(SRAM)芯片,由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)制造。该器件采用先进的CMOS工艺制造,具有高性能和低功耗的特点,适用于需要高速数据存取的通信、网络、工业控制和高端嵌入式系统等应用场景。该SRAM芯片的容量为2Mbit(256K x 8或128K x 16),支持同步操作,具有灵活的数据宽度配置能力。

参数

容量:2Mbit
  组织结构:256K x 8 / 128K x 16
  工作电压:2.3V - 3.6V
  最大访问时间:166MHz
  封装类型:BGA
  温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
  功耗:典型工作电流约100mA
  数据保持电压:1.5V(最低)
  封装尺寸:根据具体版本不同有所变化

特性

IS61VVPS204818B-166B3LI-TR采用了高性能CMOS技术,确保了高速存取能力和低功耗运行。该芯片支持同步操作,可以在高速系统中提供可靠的数据存储和读取能力。其异步和同步两种操作模式使其适用于多种系统架构。该器件具有自动数据保持功能,在低功耗模式下可保持数据完整性,适用于需要节能设计的应用场景。
  此外,该SRAM具有高抗干扰能力和稳定性,适用于恶劣工业环境。BGA封装形式提供了良好的电气性能和热稳定性,适合高密度PCB布局。其宽电压范围(2.3V至3.6V)使其兼容多种电源管理系统,增强了系统设计的灵活性。
  该芯片还具备可配置的数据宽度功能,支持8位或16位的数据接口,方便用户根据系统需求进行选择。高速的166MHz工作频率确保了其在高速缓存、缓冲存储等应用中的优异表现。

应用

IS61VVPS204818B-166B3LI-TR广泛应用于通信设备(如路由器、交换机)、工业控制系统、网络设备、高端嵌入式系统、测试仪器以及需要高速缓存和临时数据存储的场合。由于其工业级温度范围和高可靠性,也适用于户外和工业环境下的电子设备。

替代型号

IS61VPS25616B-166BLLI-TR, CY7C1380C-166BZC, IDT71V416S166PFGI

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IS61VVPS204818B-166B3LI-TR参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格2,000 : ¥1,095.73506卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式SRAM
  • 技术SRAM - 同步,SDR
  • 存储容量36Mb
  • 存储器组织2M x 18
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率166 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间3.8 ns
  • 电压 - 供电1.71V ~ 1.89V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳165-TBGA
  • 供应商器件封装165-TFBGA(13x15)