时间：2025/9/1 11:12:21
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IS61VPS51236B-200B3LI是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution Inc.）制造的高速、低功耗的静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该芯片属于高性能的SyncBurst SRAM系列，适用于需要高速数据存取和高可靠性的应用环境。IS61VPS51236B-200B3LI采用36位数据宽度，支持突发模式操作，提供高达200MHz的工作频率，适合用于网络设备、通信系统、工业控制以及高性能计算等领域。
类型：SyncBurst SRAM
容量：512K x 36 位
工作电压：2.3V 至 3.6V
最大访问时间：200MHz 工作频率
封装类型：165-TQFP（薄型四边扁平封装）
数据宽度：36位
突发模式：支持
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
接口类型：并行接口
封装尺寸：24mm x 24mm
功耗：低功耗设计
IS61VPS51236B-200B3LI 是一款专为高速数据传输设计的同步突发SRAM芯片，其主要特性包括卓越的访问速度和稳定性。该器件支持200MHz的工作频率，确保了在高性能系统中数据传输的效率和可靠性。其36位的数据宽度能够满足大数据吞吐量的应用需求，特别适用于网络交换和路由设备中的高速缓存。
该芯片采用了先进的CMOS工艺制造，具有低功耗的特点，适用于对功耗敏感的设计环境。此外，IS61VPS51236B-200B3LI支持突发模式操作，允许在单个读写操作中连续访问多个地址，从而提高了整体的系统性能。其同步控制信号确保了与主控设备的无缝接口，简化了系统设计。
该SRAM芯片的165-TQFP封装形式提供了良好的散热性能和机械稳定性，适应-40°C至+85°C的宽温范围，能够在工业和通信等严苛环境中稳定运行。此外，其并行接口设计支持与多种微处理器和控制器的直接连接，提高了系统的灵活性和兼容性。
IS61VPS51236B-200B3LI 主要应用于需要高速数据处理和大容量缓存的嵌入式系统。典型的应用包括网络路由器、交换机、通信基站、工业自动化设备以及高性能计算模块。此外，该芯片也适用于视频处理设备、测试仪器和医疗电子设备等对存储性能有高要求的场景。
IS61VPS51236B-200B4LI、IS61VPS51236B-250B3TI
