IS61VPS51236A-250B3L是一款高速、低功耗的静态随机存取存储器(SRAM)芯片,由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)制造。该器件采用先进的CMOS工艺制造,具有高性能和可靠性,适用于需要快速数据访问的应用场合。该芯片的容量为512K x 36位,提供36位数据总线宽度,支持高速数据吞吐量。
容量:512K x 36位
电源电压:2.3V 至 3.6V
最大访问时间:250MHz
封装类型:165-BGA(球栅阵列)
工作温度范围:工业级 -40°C 至 +85°C
数据输出类型:三态输出
控制信号:CE(片选)、OE(输出使能)、WE(写使能)
功耗:典型工作电流约180mA
IS61VPS51236A-250B3L具备高速访问能力,其最大访问频率可达250MHz,适用于高速缓存和实时数据处理系统。该芯片采用低功耗设计,在待机模式下功耗极低,适用于对能耗敏感的应用。其36位宽数据总线可提高数据传输效率,特别适合需要大量数据并行处理的场景。芯片内置三态输出缓冲器,可有效隔离输出端口,防止总线冲突。此外,该器件支持异步操作,无需外部时钟同步即可进行读写操作,提高了系统的灵活性。其封装形式为165引脚BGA,具有良好的散热性能和空间利用率。该芯片符合RoHS环保标准,适合工业和通信设备使用。
IS61VPS51236A-250B3L广泛应用于网络设备、通信系统、图像处理设备、工业控制设备和嵌入式系统等领域。其高速和低延迟特性使其成为高性能缓存、帧缓冲器和高速数据缓冲的理想选择。在路由器、交换机和基站设备中,该芯片可用于临时存储和快速访问数据包。在图像处理设备中,它可以作为高速缓存存储图像数据。此外,在需要快速数据访问的工业控制系统中,它也常用于存储关键数据和程序。
IS61VPS51236A-250B3LI、IS61VPS51236A-250BLL