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IS61VPS51236A-200B3I-TR 发布时间 时间:2025/12/28 17:57:34 查看 阅读:28

IS61VPS51236A-200B3I-TR是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution Inc.)制造的高速、低功耗的静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该型号属于异步SRAM类别,广泛应用于需要高性能和高可靠性的系统中,例如网络设备、通信设备、工业控制设备以及嵌入式系统。该SRAM芯片采用先进的CMOS工艺制造,确保了卓越的性能和稳定性。

参数

类型:异步SRAM
  容量:512K x 36位(18Mb)
  电压范围:2.3V - 3.6V
  访问时间:200MHz
  封装类型:165-TQFP
  工作温度:-40°C 至 +85°C
  数据宽度:36位
  封装尺寸:24mm x 24mm
  封装引脚数:165
  最大功耗:1.8W
  接口类型:并行

特性

IS61VPS51236A-200B3I-TR是一款专为高性能应用设计的SRAM芯片。该芯片具有512K x 36位的存储容量,适用于需要高速数据存取的应用场景。其异步操作模式使其能够在不同频率下灵活运行,适应多种系统设计需求。此外,该芯片的工作电压范围为2.3V至3.6V,支持广泛的电源管理方案,同时确保了低功耗和高稳定性。
  该SRAM芯片采用CMOS工艺,不仅提高了数据保持的可靠性,还降低了静态电流消耗。在高速访问方面,它具有200MHz的访问时间,能够满足高性能处理器和高速缓存系统的需求。其165-TQFP封装形式提供了良好的热管理和空间利用率,适合在紧凑型电子设备中使用。
  此外,该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C,符合工业级温度标准,可在严苛环境下稳定运行。其36位的数据宽度设计适用于高带宽需求的应用,如高速数据缓冲、网络交换和工业控制系统。

应用

IS61VPS51236A-200B3I-TR广泛应用于多种高性能电子系统中。其主要应用包括网络设备(如路由器和交换机)、通信基础设施(如基站和传输设备)、工业控制系统(如PLC和自动化设备)以及嵌入式系统(如高端工业计算机和数据采集设备)。此外,该芯片也可用于需要高速缓存和大容量存储的图形处理和视频处理设备。

替代型号

IS61VPS51236A-200B3I, IS61VPS51236A-200BLL

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IS61VPS51236A-200B3I-TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式SRAM
  • 技术SRAM - 同步,SDR
  • 存储容量18Mb
  • 存储器组织512K x 36
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率200 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间3.1 ns
  • 电压 - 供电2.375V ~ 2.625V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳165-TBGA
  • 供应商器件封装165-TFBGA(13x15)