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IS61VPS204836B-250B3L 发布时间 时间:2025/9/1 15:15:23 查看 阅读:6

IS61VPS204836B-250B3L 是一款由 ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)公司生产的高速、低功耗的同步静态随机存取存储器(SRAM),属于其高性能SRAM产品线。该芯片设计用于需要高速数据存取和可靠性的应用场景,如网络设备、通信系统、工业控制和嵌入式系统等。这款SRAM采用同步接口,具有256K x 36位的存储容量,工作频率可达250MHz,适合高性能系统使用。

参数

类型:同步静态随机存取存储器(Sync SRAM)
  容量:256K x 36位
  组织方式:256K地址,每个地址36位数据
  工作电压:2.3V 至 3.6V(通常为3.3V)
  访问时间:250MHz对应访问时间约3.6ns
  封装类型:165引脚 BGA(Ball Grid Array)
  温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  接口类型:同步(Synchronous)
  时钟频率:最高250MHz
  数据输出类型:三态输出
  功耗:低功耗CMOS工艺,具体视工作频率和负载而定
  封装尺寸:具体尺寸根据封装类型而定

特性

IS61VPS204836B-250B3L 是一款高性能同步SRAM芯片,采用了先进的CMOS工艺技术,具有出色的存取速度和稳定性。其主要特性包括高速度、低功耗、宽电压范围、同步接口设计以及适用于工业级温度环境。该芯片的访问时间低至3.6ns,能够在高达250MHz的频率下稳定运行,满足对数据处理速度要求较高的系统需求。此外,其宽电压范围(2.3V至3.6V)使其在不同电源环境下均能可靠运行,增强了设计的灵活性。
  芯片支持同步操作,所有输入输出信号均与时钟同步,简化了时序设计并提高了系统稳定性。封装形式为165引脚BGA,适合高密度PCB布局。IS61VPS204836B-250B3L 还具备三态输出功能,有助于减少总线竞争和功耗。其低功耗特性使其适用于电池供电设备和对功耗敏感的应用场景。此外,该芯片符合RoHS标准,适用于环保型电子产品设计。

应用

IS61VPS204836B-250B3L 同步SRAM广泛应用于需要高速数据存储和访问的系统中,如网络路由器、交换机、通信基站、工业控制器、嵌入式系统、图像处理设备和测试测量仪器等。其高带宽和低延迟特性使其特别适用于缓存、帧缓冲、数据缓冲和高速数据采集等场景。此外,由于其支持工业级温度范围,因此也适用于户外设备、自动化控制设备和工业机器人等对环境适应性要求较高的应用。

替代型号

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IS61VPS204836B-250B3L参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格144 : ¥959.95069托盘
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式SRAM
  • 技术SRAM - 同步,SDR
  • 存储容量72Mb
  • 存储器组织2M x 36
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率250 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间2.8 ns
  • 电压 - 供电2.375V ~ 2.625V
  • 工作温度0°C ~ 70°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳165-TBGA
  • 供应商器件封装165-TFBGA(13x15)