时间：2025/12/28 18:02:43
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IS61VPD102418A-250B3I-TR是一款高速、低功耗的同步静态随机存取存储器（SSRAM）芯片，由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）公司制造。该芯片属于高速同步SRAM系列，适用于需要快速数据访问和高带宽的应用场合。其容量为256K x 18位，提供高速数据存取能力，适用于网络设备、工业控制、通信系统等高端电子设备。
容量：256K x 18位
封装类型：BGA
封装尺寸：165球BGA
电源电压：2.3V - 3.6V
访问时间：250MHz
工作温度范围：-40°C至+85°C
数据输入/输出：18位
时钟频率：最大250MHz
封装类型：Tape and Reel（TR）
数据保持电压：2.0V（最低）
IS61VPD102418A-250B3I-TR具备多种高性能特性。其同步架构允许在高频下运行，支持高达250MHz的时钟频率，从而实现高速数据读写操作。该芯片采用低功耗设计，在保持高性能的同时，有效降低功耗，适用于对功耗敏感的应用场景。此外，它支持宽电压范围（2.3V至3.6V），增强了其在不同系统环境中的适应性。该芯片还具备良好的数据保持能力，在低至2.0V的电压下仍可保持数据完整性，适用于需要长时间数据保持的系统。
该芯片采用165球BGA封装，具有较高的封装密度和良好的热性能，适合高密度电路板布局。此外，IS61VPD102418A-250B3I-TR具备工业级温度范围（-40°C至+85°C），确保其在各种环境条件下都能稳定工作。该芯片的高速、低功耗和高可靠性使其成为高端工业和通信设备的理想选择。
该芯片广泛应用于高性能嵌入式系统、网络交换设备、路由器、数据通信设备、工业自动化控制设备、测试测量仪器以及高端消费类电子产品。由于其高速存取能力和低功耗特性，IS61VPD102418A-250B3I-TR特别适合用于缓存存储、数据缓冲、图像处理以及需要快速响应的实时系统。
IS61VPD102418B-250B3I-TR, IS61VPD102418A-300B3I-TR, CY7C1370E-250BZC, IDT70VU28S133B8GI
