容量：256K x 18位
　　电源电压：3.3V
　　访问时间：5.4ns（最大）
　　封装类型：TSOP、BGA等
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　输入/输出电压兼容性：3.3V或5V兼容
　　封装引脚数：54/64
　　封装尺寸：TSOP-II（标准）
　　封装类型：提供多种封装选项，便于适应不同应用场景

IS61VF25618A是一款高性能异步SRAM，具备高速访问和低功耗的特点，适用于高密度存储应用。其主要特性包括高速访问时间（低至5.4ns），支持快速的数据读写操作，适用于对响应时间要求严格的系统。芯片采用CMOS工艺制造，具有较低的静态功耗，在待机状态下功耗极低，适合对功耗敏感的应用。该器件支持3.3V供电，同时具备5V输入/输出兼容能力，使其能够与多种逻辑电平系统无缝连接。IS61VF25618A支持标准异步控制信号，如片选（CE）、输出使能（OE）和写使能（WE），便于集成到现有的异步总线架构中。此外，该芯片具备高可靠性和抗干扰能力，符合工业级温度标准（-40°C至+85°C），适用于各种恶劣环境。其封装形式包括TSOP和BGA，便于根据PCB设计需求进行选择。IS61VF25618A在数据缓存、网络交换、工业控制和嵌入式系统中具有广泛的应用场景。

IS61VF25618A广泛应用于需要高速存储和大容量缓存的系统中，例如：网络设备（如路由器和交换机）、通信模块、工业自动化控制系统、嵌入式系统（如智能卡终端和工业仪表）、测试设备和高性能数据采集系统。其高速访问时间和宽温度范围也使其适用于汽车电子、航空航天和军事设备等对可靠性要求较高的领域。

IS61WV25618BLL-5.4, CY62148E, IDT71V416S