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IS61VF102418A-7.5B3 发布时间 时间:2025/12/28 17:45:37 查看 阅读:29

IS61VF102418A-7.5B3是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产的高速异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片具有1Mbit的存储容量,组织方式为1024K x 18位,适用于需要高速数据访问和高可靠性的应用场合。该SRAM芯片采用CMOS技术制造,具备低功耗、高速度以及宽温度范围等优点,广泛应用于通信设备、工业控制、网络设备以及嵌入式系统等领域。

参数

容量:1Mbit
  组织方式:1024K x 18
  电源电压:3.3V或5V可选
  访问时间:7.5ns
  封装类型:TSOP
  工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
  引脚数:54
  数据宽度:18位
  读写操作:异步模式
  最大工作频率:约133MHz(基于访问时间)

特性

IS61VF102418A-7.5B3 SRAM芯片采用了先进的CMOS工艺,具备低功耗和高性能的特点。其高速访问时间7.5ns使其适用于需要快速数据读写的应用场景,例如高速缓存和实时处理系统。此外,该芯片支持异步操作模式,允许与各种主控设备(如微处理器、DSP和FPGA)灵活连接,而无需严格的时钟同步控制。芯片的宽工作电压范围(可支持3.3V或5V)增强了其在不同系统设计中的兼容性,而宽温度范围则确保了其在工业和恶劣环境中的稳定运行。此外,该器件采用了TSOP封装,具有较小的封装尺寸和良好的散热性能,适合在空间受限的应用中使用。
  在功能上,IS61VF102418A-7.5B3具备低待机电流特性,有助于在低功耗模式下节省能量,适用于电池供电或节能型系统。其地址和数据总线采用分离式设计,支持独立的读写操作,提高了系统的灵活性和效率。此外,该SRAM芯片具备高抗干扰能力和可靠性,满足多种工业标准要求。

应用

IS61VF102418A-7.5B3 SRAM芯片因其高速度、低功耗和宽电压工作范围,广泛应用于多个高性能系统中。例如,在通信设备中,该芯片可用作高速缓存或数据缓冲器,用于临时存储和快速读取通信数据,提升数据处理效率。在网络设备中,如路由器和交换机,该SRAM芯片可以用于存储临时路由表或转发信息,以提高网络传输速度。在工业控制领域,该芯片可作为主控单元的外部存储器,用于存储实时控制参数和临时数据。此外,在嵌入式系统、数字信号处理器(DSP)系统以及现场可编程门阵列(FPGA)系统中,该芯片也常被用作高速存储单元,以提升系统的响应速度和数据处理能力。

替代型号

IS61LV102418A-7.5B3, CY7C1024AV33-7.5B

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IS61VF102418A-7.5B3参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式SRAM
  • 技术SRAM - 同步,SDR
  • 存储容量18Mb
  • 存储器组织1M x 18
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率117 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间7.5 ns
  • 电压 - 供电2.375V ~ 2.625V
  • 工作温度0°C ~ 70°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳165-TBGA
  • 供应商器件封装165-TFBGA(13x15)