容量：128K x 36位
　　电源电压：3.3V
　　访问时间：133MHz（最快）
　　封装类型：TQFP
　　封装引脚数：165
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　数据宽度：36位
　　接口类型：异步
　　功耗：典型值为150mA（待机模式下低至10mA）

IS61SP12836133TQ 是一款高性能异步SRAM，具备快速访问时间和低功耗的特性。其访问时间可低至5.4ns，使得该器件能够在高速系统中提供可靠的数据存取能力。
　　该SRAM采用标准异步接口，支持异步读写操作，适用于多种嵌入式系统和高速缓存应用。其控制信号包括片选（CE）、输出使能（OE）和写使能（WE），支持标准的SRAM时序控制，便于与各种处理器和控制器连接。
　　在电源管理方面，IS61SP12836133TQ 提供多种低功耗模式，包括待机模式和深度睡眠模式，能够有效降低系统整体功耗，适用于对功耗敏感的设计场景。
　　该芯片的封装为165引脚TQFP，符合工业级温度标准（-40°C 至 +85°C），适用于各种严苛环境下的工业和通信设备。此外，其采用的CMOS工艺技术不仅提高了器件的稳定性和可靠性，还增强了抗噪声能力。
　　IS61SP12836133TQ 还具备高数据保持能力，在掉电或待机状态下仍能保持存储数据，适用于需要频繁切换电源状态的系统设计。

IS61SP12836133TQ 主要用于需要高速数据缓存和临时存储的电子系统中。其典型应用包括路由器和交换机的数据缓冲、工业控制系统的高速缓存、通信设备的帧存储器以及嵌入式系统的主存扩展。此外，该SRAM还可用于高端打印机、测试设备和网络处理平台等对性能和可靠性要求较高的应用场景。

IS61SP12836133QBLL、IS61SP12836133TQLB、IS61SP12836133SG