时间：2025/9/1 14:34:45
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IS61QDPB451236A-400M3LI 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）制造的一款高速、低功耗的双端口 SRAM（静态随机存取存储器）芯片。该器件采用先进的 CMOS 技术制造，具备高性能和高可靠性的特点，适用于需要快速数据访问和数据缓冲的场合。该型号的存储容量为 4.5Mbit（512K x 9 位），支持独立的双端口操作，允许两个端口同时对存储器进行读写操作，适用于网络通信、工业控制、汽车电子等领域。
容量：4.5Mbit（512K x 9）
组织结构：512K x 9
电源电压：2.3V 至 3.6V
访问时间：4.5ns
最大工作频率：400MHz
封装类型：165-TQFP
温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
接口类型：独立双端口异步接口
数据输入/输出：9位双向数据总线
地址总线：19位
IS61QDPB451236A-400M3LI 是一款高性能的异步双端口 SRAM，其核心特性包括高速访问、低功耗设计和独立的双端口操作能力。该芯片的访问时间为 4.5ns，支持高达 400MHz 的工作频率，能够满足对数据吞吐量有高要求的应用场景。由于采用了先进的 CMOS 工艺，该器件在高速运行的同时保持了较低的功耗水平，适用于电池供电设备和嵌入式系统。双端口架构允许两个端口独立地访问相同的存储单元，极大提升了数据处理效率，适用于需要并行数据处理的系统，如通信交换设备、图像处理模块和嵌入式控制器。此外，该芯片支持异步操作模式，无需外部时钟信号即可实现数据存取，简化了系统设计。该型号的封装形式为 165-TQFP，适合工业级温度范围（-40°C 至 +85°C），适用于严苛环境下的稳定运行。
IS61QDPB451236A-400M3LI 主要用于需要高速数据缓存和双端口访问的系统中，典型应用包括网络设备中的数据缓冲、工业控制系统的实时数据处理、汽车电子中的高级驾驶辅助系统（ADAS）、图像处理单元中的帧缓存以及通信设备中的路由表存储等。其高速访问能力和双端口架构使其在多任务处理和实时系统中表现出色。
IS61QDPB451236A-400M3LI 的替代型号包括：IS61QDPB451236B-400M3LI（更高频率版本）、IS61LV25616-10T（同容量但为单端口 SRAM）、CY7C028V（Cypress 的双端口 SRAM，功能类似）、IDT70V24S（IDT 公司的高速双端口 SRAM）。
