时间：2025/9/1 16:13:27
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IS61QDPB42M36A2-500M3LI 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）生产的一款高速、低功耗的双端口静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该芯片采用先进的CMOS技术制造，具有高性能和高可靠性的特点。IS61QDPB42M36A2-500M3LI 专为需要高速数据访问和双端口操作的应用设计，广泛应用于网络通信、工业控制、汽车电子和高端嵌入式系统等领域。
容量：36Mbit
组织结构：4M x 36位
电源电压：2.3V - 3.6V
最大访问时间：5.4ns
最大工作频率：166MHz
封装类型：209-TFBGA
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
接口类型：并行双端口
IS61QDPB42M36A2-500M3LI 是一款高性能双端口 SRAM，具备多个显著的技术特性。首先，该芯片的存储容量为36Mbit，组织结构为4M x 36位，这意味着它可以在每个时钟周期内同时访问36位的数据，非常适合高带宽应用。其电源电压范围为2.3V至3.6V，具有较宽的电源兼容性，便于与不同系统设计匹配。
该芯片的最大访问时间为5.4ns，支持高达166MHz的工作频率，确保了数据的高速读写能力。这种高速性能使其适用于需要快速数据处理的场景，如路由器、交换机、实时控制系统等。此外，IS61QDPB42M36A2-500M3LI 采用并行双端口架构，允许两个独立的主机或控制器同时访问存储器，从而提高了系统的并发处理能力和效率。
在封装方面，该芯片采用209引脚 TFBGA 封装，具有较小的封装尺寸和良好的散热性能，适用于空间受限的设计。其工作温度范围为-40°C至+85°C，满足工业级和汽车级应用的环境要求，增强了其在恶劣环境下的可靠性。
IS61QDPB42M36A2-500M3LI 还集成了多种低功耗设计技术，在保证高性能的同时，降低了整体功耗。这使得该芯片在便携式设备和电池供电系统中也具有良好的适用性。另外，该芯片的双端口架构支持独立的地址、数据和控制总线，进一步增强了其灵活性和系统集成能力。
IS61QDPB42M36A2-500M3LI 适用于多种高性能存储应用，尤其是在需要高速数据交换和双端口访问的系统中。例如，在网络设备中，它可以作为高速缓存存储器，用于临时存储和转发数据包，提高网络处理效率。在工业控制系统中，该芯片可以用于实时数据采集和处理，确保系统的响应速度和稳定性。
该芯片也广泛应用于汽车电子系统，如高级驾驶辅助系统（ADAS）和车载信息娱乐系统（IVI），在这些应用中，IS61QDPB42M36A2-500M3LI 能够提供可靠的数据存储和快速访问能力，满足汽车环境下的高要求。此外，在高端嵌入式系统和通信设备中，该芯片可用于实现高速缓存、帧缓冲器或临时数据存储单元，提升系统的整体性能。
由于其低功耗特性和宽温工作范围，IS61QDPB42M36A2-500M3LI 也非常适合用于工业自动化设备、医疗仪器和测试测量设备，确保在不同环境条件下都能稳定运行。
IS61QDPB42P36A2-500M3LI, CY7C1395B, IDT70V4498S
