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IS61QDPB42M36A2-500M3L 发布时间 时间:2025/9/1 14:50:00 查看 阅读:13

IS61QDPB42M36A2-500M3L 是一颗由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产的高速、低功耗的双端口静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件采用先进的CMOS工艺制造,提供高性能和高可靠性的存储解决方案。IS61QDPB42M36A2-500M3L 主要用于需要高速数据访问和双端口操作的应用场景,例如网络设备、通信系统、工业控制、测试设备和高性能计算系统。

参数

型号:IS61QDPB42M36A2-500M3L
  容量:42Mbit(36Mb)
  组织结构:x36位
  速度:500MHz
  电压:2.3V - 3.6V
  封装:165-TQFP
  温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
  访问时间:1.8ns
  工作模式:同步双端口SRAM
  接口类型:并行接口

特性

IS61QDPB42M36A2-500M3L 是一款高性能的同步双端口SRAM芯片,具备多个关键特性,使其在复杂的系统设计中表现出色。该芯片支持两个独立的端口,每个端口都可以独立地进行读写操作,从而实现高效的数据并发处理能力。芯片内部采用高速CMOS技术,使其能够在高达500MHz的频率下稳定运行,访问时间仅为1.8ns,非常适合对时序要求严格的应用。此外,该芯片支持2.3V至3.6V的宽电压范围,适用于多种电源设计环境,并具有良好的功耗控制能力,在待机模式下可显著降低功耗。其165引脚TQFP封装提供了良好的散热性能和机械稳定性,适合在高密度PCB布局中使用。该器件还具备低延迟、高可靠性和抗干扰能力强的特点,广泛用于网络交换、数据缓冲、高速缓存等关键系统模块。
  另外,IS61QDPB42M36A2-500M3L 支持突发模式操作,允许连续的数据读写操作,提高数据吞吐率。每个端口都具备独立的片选(CE)、输出使能(OE)和写使能(WE)信号,提供灵活的控制方式,适用于各种复杂的控制逻辑。同时,该芯片具有数据掩码功能,可在写操作过程中选择性地更新部分数据位,提高系统的灵活性和效率。

应用

IS61QDPB42M36A2-500M3L 主要用于需要高速双端口访问的系统,如网络路由器和交换机中的数据缓存、通信设备中的数据缓冲区管理、测试测量仪器中的高速数据采集、工业控制系统的实时数据处理、图像处理和视频缓冲等应用场景。由于其高性能和灵活性,该芯片也被广泛应用于高性能嵌入式系统、服务器、存储控制器和FPGA/CPLD开发平台中的高速缓存单元。

替代型号

IS61QDPB42M36A2-500M3B, IS61QDPB42M36A2-500M3BL, CY7C1550KV18-500BZC, CY7C1513AV18-500BZI, IDT70V42S36A2-500BLI

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IS61QDPB42M36A2-500M3L参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格105 : ¥888.05410托盘
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式SRAM
  • 技术SRAM - 同步,QUADP
  • 存储容量72Mb
  • 存储器组织2M x 36
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率500 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间8.4 ns
  • 电压 - 供电1.71V ~ 1.89V
  • 工作温度0°C ~ 70°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳165-LBGA
  • 供应商器件封装165-LFBGA(15x17)