时间：2025/9/1 14:50:00
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IS61QDPB42M36A2-500M3L 是一颗由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）生产的高速、低功耗的双端口静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件采用先进的CMOS工艺制造，提供高性能和高可靠性的存储解决方案。IS61QDPB42M36A2-500M3L 主要用于需要高速数据访问和双端口操作的应用场景，例如网络设备、通信系统、工业控制、测试设备和高性能计算系统。
型号：IS61QDPB42M36A2-500M3L
容量：42Mbit（36Mb）
组织结构：x36位
速度：500MHz
电压：2.3V - 3.6V
封装：165-TQFP
温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
访问时间：1.8ns
工作模式：同步双端口SRAM
接口类型：并行接口
IS61QDPB42M36A2-500M3L 是一款高性能的同步双端口SRAM芯片，具备多个关键特性，使其在复杂的系统设计中表现出色。该芯片支持两个独立的端口，每个端口都可以独立地进行读写操作，从而实现高效的数据并发处理能力。芯片内部采用高速CMOS技术，使其能够在高达500MHz的频率下稳定运行，访问时间仅为1.8ns，非常适合对时序要求严格的应用。此外，该芯片支持2.3V至3.6V的宽电压范围，适用于多种电源设计环境，并具有良好的功耗控制能力，在待机模式下可显著降低功耗。其165引脚TQFP封装提供了良好的散热性能和机械稳定性，适合在高密度PCB布局中使用。该器件还具备低延迟、高可靠性和抗干扰能力强的特点，广泛用于网络交换、数据缓冲、高速缓存等关键系统模块。
另外，IS61QDPB42M36A2-500M3L 支持突发模式操作，允许连续的数据读写操作，提高数据吞吐率。每个端口都具备独立的片选（CE）、输出使能（OE）和写使能（WE）信号，提供灵活的控制方式，适用于各种复杂的控制逻辑。同时，该芯片具有数据掩码功能，可在写操作过程中选择性地更新部分数据位，提高系统的灵活性和效率。
IS61QDPB42M36A2-500M3L 主要用于需要高速双端口访问的系统，如网络路由器和交换机中的数据缓存、通信设备中的数据缓冲区管理、测试测量仪器中的高速数据采集、工业控制系统的实时数据处理、图像处理和视频缓冲等应用场景。由于其高性能和灵活性，该芯片也被广泛应用于高性能嵌入式系统、服务器、存储控制器和FPGA/CPLD开发平台中的高速缓存单元。
IS61QDPB42M36A2-500M3B, IS61QDPB42M36A2-500M3BL, CY7C1550KV18-500BZC, CY7C1513AV18-500BZI, IDT70V42S36A2-500BLI
