时间：2025/9/1 14:56:21
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IS61QDPB42M36A-500B4LI 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）生产的一款高速、低功耗的双端口同步SRAM（静态随机存取存储器）。该器件采用先进的CMOS工艺制造，具有高性能和可靠性，适用于需要高速数据访问和双端口操作的应用场景。
容量：256Mbit（4M x 36位）
访问时间：5.4ns
工作电压：2.3V - 3.6V
封装类型：298球FBGA
温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
接口类型：QDR-II+（Quad Data Rate-II+）
IS61QDPB42M36A-500B4LI 具有以下显著特性：
1. **高速访问**：该SRAM器件的访问时间仅为5.4ns，支持高速数据传输和低延迟操作，适用于对性能要求较高的应用，如网络交换设备、路由器和高速缓存系统。
2. **双端口架构**：采用QDR-II+（Quad Data Rate-II+）架构，支持两个独立端口同时进行读写操作，提高系统的并发处理能力。
3. **低功耗设计**：尽管具备高速性能，但该器件采用低功耗CMOS工艺，在保证性能的同时降低了功耗，适用于对能效敏感的应用环境。
4. **宽电压范围**：工作电压范围为2.3V至3.6V，增强了与其他系统组件的兼容性，并提高了电源管理的灵活性。
5. **高可靠性**：该器件符合工业级温度标准（-40°C至+85°C），可在严苛环境下稳定运行，适用于工业控制、通信设备和嵌入式系统。
6. **先进封装**：采用298球FBGA封装，体积小、散热好，适用于空间受限的高密度电路设计。
IS61QDPB42M36A-500B4LI 广泛应用于需要高速存储和双端口访问的系统中，例如：
? 网络通信设备：如路由器、交换机和无线基站，用于缓存和转发数据包。
? 工业控制：用于实时控制系统中的数据缓冲和处理。
? 嵌入式系统：作为高速缓存或临时存储单元，提升系统响应速度。
? 高速数据采集系统：用于快速存储和读取传感器数据。
? 网络安全设备：如防火墙和入侵检测系统，用于高效处理网络流量。
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