时间：2025/12/28 17:39:04
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IS61QDPB42M18A-400M3I 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）生产的一款高速、低功耗的双端口静态随机存取存储器（SRAM）。该器件属于QDR（Quad Data Rate）II+ SRAM系列，专为高性能网络和通信系统设计，支持独立的读写操作，具有高带宽和低延迟的特点。该器件采用先进的CMOS工艺制造，提供可靠的数据存取性能。
容量：2Mbit（128K × 18）
组织方式：x18
访问时间：400ps
工作频率：最大166MHz
电源电压：2.3V 至 3.6V
封装类型：165-TQFP
温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
IS61QDPB42M18A-400M3I 采用QDR（Quad Data Rate）架构，允许在同一时钟周期内进行独立的读和写操作，从而显著提高数据吞吐率。该器件的高速访问时间为400ps，适用于要求苛刻的网络交换、路由和缓存应用。其异步控制信号和同步数据接口结合，提供灵活的系统集成能力。此外，该SRAM支持自动省电模式，在未激活状态下可显著降低功耗，适用于对功耗敏感的设计。芯片的165-TQFP封装形式适用于高密度PCB布局，且支持工业级温度范围，确保在严苛环境下稳定运行。
该器件还具备可配置的字节使能控制，支持部分写入操作，从而提高数据处理效率。其差分时钟输入（K/K#）有助于减少时钟抖动，提高系统稳定性。此外，IS61QDPB42M18A-400M3I 还支持双端口架构，使得两个独立的数据总线能够同时访问存储器，进一步提升系统性能。
IS61QDPB42M18A-400M3I 主要应用于高速数据通信、路由器、交换机、网络处理器、ATM设备、无线基站以及各种需要快速数据缓存和临时存储的嵌入式系统。此外，该器件也适用于测试设备、工业控制、图像处理和高性能计算系统等需要高带宽存储器的场合。
IS61QDPB42M18B-400M3I, CY7C1552AV18-400BZXI, IDT71V42S18B-400M3I
