时间：2025/12/28 17:33:26
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IS61QDPB41M36A1-400B4LI是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution Inc.）制造的高性能双端口静态随机存取存储器（SRAM），属于高速、低功耗的QDR（Quad Data Rate）SRAM系列。该芯片设计用于需要高带宽和低延迟数据访问的应用，例如网络交换、数据路由、高速缓存和通信系统中的数据缓冲。
类型：QDR SRAM
容量：4Mbit（512K x 72）
组织结构：x72
访问时间：400ps（0.4ns）
工作电压：2.3V - 3.6V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C（工业级温度范围）
封装类型：165-TQFP
接口类型：QDR-II（Quad Data Rate II）
最大工作频率：167MHz
数据输入/输出：72位并行
封装尺寸：24mm x 24mm
IS61QDPB41M36A1-400B4LI具有多个高性能特性，包括双端口架构，允许同时进行读写操作，从而提高数据吞吐量。其QDR-II接口支持在时钟的上升沿和下降沿分别传输数据，实现每个时钟周期四次数据传输，极大地提升了带宽效率。该芯片采用低功耗CMOS工艺制造，在保证高速操作的同时，也具备较低的功耗特性，适用于对能耗敏感的嵌入式系统和通信设备。
该SRAM芯片具备优异的时序控制功能，支持同步和异步模式，适应不同的系统设计需求。其内部地址和数据锁存功能可以减少对外部控制器的时序要求，提高系统的稳定性和可靠性。此外，该器件具有自动省电模式，在没有访问操作时自动进入低功耗状态，有助于延长设备的运行时间和降低系统散热需求。
IS61QDPB41M36A1-400B4LI还具有较强的抗干扰能力，适用于高噪声工业环境。其165-TQFP封装形式便于PCB布局和焊接，适用于自动化生产和高密度电路设计。
该芯片广泛应用于高性能通信设备，如路由器、交换机和无线基站，用于数据包缓存和高速数据交换。此外，它也适用于工业控制、测试设备、医疗成像系统和网络处理器等需要高速数据存取的场景。由于其低功耗和工业级温度范围，它也适合在恶劣环境下的嵌入式系统中使用。
IS61QDPB41M36A1-400B4L，IS61QDPB41M36A1-400BGI，IS61QDPB41M36A1-400BG55I
