时间：2025/9/1 16:29:54
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IS61QDPB251236A-333M3L 是一颗由 ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）生产的高速、低功耗的双端口静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件采用先进的CMOS工艺制造，适用于需要高性能数据缓冲和存储的应用场景。该型号为QDR（Quad Data Rate）II架构，支持同时进行读写操作，具备较高的数据吞吐能力。封装形式为165-TQFP，适用于工业级温度范围（-40°C至+85°C）。
容量：36Mb
组织结构：72位 x 512K
访问时间：3.3ns
工作电压：2.3V 至 3.6V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：165-TQFP
接口类型：QDR II
最大频率：167MHz
功耗：典型值为250mA（待机时为10mA）
数据速率：333MHz
IS61QDPB251236A-333M3L 是一款高性能QDR SRAM，专为网络和通信设备设计。其QDR架构允许在单个时钟周期内完成两次数据传输（上升沿和下降沿），从而显著提高数据带宽。该芯片支持独立的读写端口，允许同时进行读写操作，避免了传统SRAM中的总线争用问题。
该器件具有低延迟和高可靠性特点，适合用于路由器、交换机、ASIC缓冲器和实时数据处理系统等应用。其电源电压范围为2.3V至3.6V，适应多种电源设计需求，并具备低功耗模式以延长系统运行时间和减少热量产生。
此外，IS61QDPB251236A-333M3L 采用165引脚TQFP封装，便于PCB布局与散热管理。其内置的地址和数据总线可支持高频率运行，且具备自动省电功能，在无操作时自动进入低功耗状态。所有信号均与LVDS或HSTL接口兼容，提高了信号完整性和系统稳定性。
该芯片广泛应用于高性能网络设备，如路由器、交换机和通信基站中的数据缓存。它也适用于工业控制、测试设备、图像处理系统以及需要高速数据交换的嵌入式系统中。由于其双端口特性，IS61QDPB251236A-333M3L 特别适合需要并行数据处理和实时响应的应用场景。
IS61QDPB251236B-333M3L, CY7C1391BKV18-333BZC, IDT70V41S233PFG
