时间：2025/9/1 16:26:44
阅读：26
IS61QDPB24M18A-333M3L 是一款由Integrated Silicon Solution (ISSI) 生产的高速、低功耗、双端口同步SRAM（静态随机存取存储器）。该芯片采用QDR（Quad Data Rate）架构，支持独立的读写操作，适用于网络设备、通信系统、工业控制、高速缓存等高性能应用场景。该器件具有24Mbit的存储容量，组织形式为1M x18位，工作频率高达333MHz，支持突发模式访问和双电压供电。
容量：24Mbit
组织结构：1M x18
访问类型：同步双端口
工作频率：333MHz
供电电压：2.5V（核心）/3.3V（I/O）
封装类型：165-TQFP
工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
访问时间：3.0ns
数据速率：667MHz（DDR）
接口类型：QDR-II
数据宽度：18位
IS61QDPB24M18A-333M3L 是一款专为高速数据处理而设计的SRAM芯片，具有以下显著特性：
首先，其双端口架构允许两个独立的端口同时进行读写操作，显著提升了数据吞吐能力。这种结构特别适合需要并行数据处理的应用，如路由器、交换机、网络处理器和高速缓存系统。
其次，该芯片采用QDR（Quad Data Rate）技术，在一个时钟周期内可以完成四个数据传输操作，从而实现了极高的数据传输速率。与传统的SDRAM相比，QDR架构显著降低了延迟，提高了系统的响应速度。
此外，IS61QDPB24M18A-333M3L 支持突发访问模式，能够按照预设的地址顺序快速连续读写数据，这对于需要连续数据流处理的应用非常有利。其支持的突发长度为2，能够有效减少地址总线的占用时间，提高整体效率。
在功耗方面，该芯片采用了低功耗设计技术，核心电压为2.5V，I/O电压为3.3V，不仅降低了静态功耗，而且在高频工作下仍能保持良好的能效表现。同时，芯片支持多种节能模式，如待机模式和自动休眠模式，适用于对功耗敏感的应用场景。
IS61QDPB24M18A-333M3L 还具备良好的电气特性和稳定性，支持差分时钟输入，提高了时序精度和抗干扰能力。其封装为165-TQFP，符合工业级温度范围（-40°C至+85°C），可在各种恶劣环境中稳定工作。
最后，该芯片集成了地址和数据总线的控制逻辑，简化了外围电路设计，提高了系统的集成度和稳定性。
IS61QDPB24M18A-333M3L 主要应用于需要高速数据存取和并行处理的系统中，如高速网络设备（路由器、交换机）、网络处理器、FPGA协处理缓存、通信基站、测试测量设备、视频处理系统、工业控制系统以及高性能计算模块。其优异的性能使其成为需要低延迟和高带宽存储解决方案的理想选择。
IS61QDPB24M18A-333M3L的替代型号包括IS61QDPB24M18A-333BBL和IS61QDPB24M18A-333M4I，它们在封装、温度范围或性能等级上略有不同，可根据具体应用场景进行选型替换。
