时间：2025/9/1 14:51:47
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IS61QDPB22M36A-333M3L 是 Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）生产的一款高速、低功耗的双端口静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该芯片采用先进的CMOS技术制造，提供高速数据访问和稳定的性能，适用于需要高带宽和低延迟存储解决方案的应用场景。IS61QDPB22M36A-333M3L 具有36位数据总线和22位地址总线，总容量为 22M x 36 位，即约 792MB。该芯片采用BGA封装，具有工业级温度范围，适合在工业控制、通信设备、网络设备等高要求环境中使用。
容量：22M x 36 位
电源电压：2.3V 至 3.6V
最大访问时间：3.3ns
工作温度：-40°C 至 +85°C
封装类型：BGA
数据总线宽度：36 位
地址总线宽度：22 位
功耗：典型值 1.5W（视工作频率而定）
时钟频率：最大 166MHz
输入/输出类型：LVTTL 或 CMOS 兼容
封装尺寸：165 球 BGA
IS61QDPB22M36A-333M3L 是一款高性能的同步双端口 SRAM，具备两个独立的端口，允许同时进行读写操作，从而显著提高数据吞吐量。其高速访问时间（3.3ns）使其适用于高性能嵌入式系统、通信和网络设备。该芯片支持异步和同步两种操作模式，能够适应不同的系统需求。此外，其低功耗设计在保持高性能的同时有效减少能耗，适用于需要持续运行的系统。芯片内部集成了控制逻辑，支持自动刷新、深度掉电模式等功能，进一步提升系统的稳定性和可靠性。
该SRAM芯片采用先进的制造工艺，具有优异的抗干扰能力和稳定性，能够在复杂电磁环境下正常工作。其封装设计紧凑，便于PCB布局，并符合RoHS环保标准。IS61QDPB22M36A-333M3L 还具备多种控制信号，如片选（CE）、写使能（WE）、输出使能（OE）等，便于与外部控制器进行无缝连接。同时，该芯片支持边界扫描测试（JTAG），方便进行系统调试和故障检测。
IS61QDPB22M36A-333M3L 主要应用于需要高速缓存和临时数据存储的高性能系统中。例如，它常用于路由器和交换机中的数据缓冲存储器，用于高速数据包处理；在工业控制系统中，作为主控制器的高速缓存存储器，用于提高系统响应速度；在嵌入式多媒体系统中，用于视频数据的缓存与处理；在测试与测量设备中，用于临时存储测试数据和算法处理。此外，该芯片也适用于雷达系统、医疗成像设备、高速数据采集系统等对存储性能有严格要求的高端应用场景。
IS61QDPB22M36A-333M3L 可以被以下型号替代：IS61QDPB22M36A-400M3L、IS61QDPB22M36A-333BBL、CY7C1555V18-333BZXI、IDT70V631S133B8GI
