时间：2025/9/1 16:43:59
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IS61QDPB22M18A-333M3L 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）生产的一款高速双端口静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件属于高速QDR（Quad Data Rate）II SRAM系列，设计用于高性能网络和通信应用。该芯片具有双端口架构，允许同时进行读写操作，适用于需要高带宽和低延迟的应用场景。该器件封装为165-BGA，工作温度范围为商业级（0°C至70°C）。
容量：18Mbit（1M x 18）
架构：双端口SRAM
速度：333MHz
电压：2.5V
封装：165-BGA
温度范围：0°C至70°C
访问时间：1.8ns
输入/输出类型：LVTTL
时钟频率：333MHz
数据速率：667MHz
接口类型：QDR II
组织结构：1M x 18
IS61QDPB22M18A-333M3L 是一款专为高性能网络系统设计的QDR II SRAM，具有以下关键特性：
首先，该芯片采用双端口架构，具备独立的读写端口，支持在同一个时钟周期内同时进行读操作和写操作，显著提升了数据吞吐能力，非常适合需要高并发数据处理的应用场景，如交换机、路由器和高性能计算系统。
其次，该芯片具有高速性能，其时钟频率可达333MHz，等效数据速率为667MHz，访问时间仅为1.8ns，这使得其在高速缓存和缓冲存储器应用中表现出色，能够有效减少系统延迟。
此外，该SRAM芯片采用2.5V电源供电，支持LVTTL电平接口，具有良好的兼容性，适用于多种系统设计环境。其165-BGA封装形式提供了良好的散热性能和机械稳定性，适合在高密度PCB布局中使用。
IS61QDPB22M18A-333M3L还集成了先进的同步设计和低功耗特性，在高速运行的同时能够保持较低的功耗水平，适合长时间运行的工业和通信设备使用。该器件还具备优异的时序控制和信号完整性设计，确保在高频操作下数据传输的可靠性。
IS61QDPB22M18A-333M3L 主要用于需要高速数据访问的网络和通信系统中。其典型应用包括路由器、交换机、ATM接口、网络处理器缓存、图形处理器缓冲存储器、测试设备和高速数据采集系统等。由于其双端口架构和高速性能，该芯片也适用于高性能计算设备中的临时数据存储和缓存管理。此外，该芯片还可用于工业自动化控制系统、嵌入式系统和通信基站等需要高带宽和低延迟的场合。其2.5V电源和LVTTL兼容接口设计使其能够方便地集成到各种系统架构中，具有良好的通用性和扩展性。
IS61QDPB22M18A-333M3LB, IS61QDPB22M18A-333M2L, CY7C1370E, CY7C1360E
