时间：2025/9/1 13:55:41
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IS61QDPB21M18A-333M3L 是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）公司生产的高速、低功耗的双端口静态随机存取存储器（SRAM）。该器件具有高可靠性和优异的性能，适用于对数据存储和访问速度要求较高的应用场合，如网络设备、工业控制、通信设备等。该型号属于QDR（Quad Data Rate）SRAM系列，具备独立的读写端口，能够在同一时钟周期内同时进行读和写操作。
容量：256Mbit
组织结构：18M x 18位
电源电压：2.3V 至 3.6V
访问时间：3.3ns
工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
封装类型：165-BGA
时钟频率：最大可达166MHz
数据速率：333MHz
接口类型：QDR-II
功耗：典型值为1.5W
IS61QDPB21M18A-333M3L 是一款QDR-II SRAM，具备独立的读写端口，能够在同一时钟周期内进行读和写操作，极大地提高了数据吞吐量。其高速访问时间（3.3ns）和高数据速率（333MHz）使其适用于高性能数据缓冲和存储应用。该器件支持双字选通（BWSx）功能，允许对字节进行选择性写入，提高了灵活性和数据处理效率。其低功耗设计和宽电压范围（2.3V 至 3.6V）使其适用于多种电源配置环境。此外，该SRAM采用165引脚BGA封装，符合工业级温度要求，确保在各种严苛环境下稳定运行。
IS61QDPB21M18A-333M3L 常用于高性能网络设备、通信基础设施、工业控制系统、图像处理系统、测试与测量设备等需要高速数据访问和可靠存储的场合。其QDR架构使其特别适合需要并行读写操作的应用场景，如交换机、路由器、数据采集系统等。
IS61QDPB21M18A-333M3LI; IS61QDPB21M18A-333M3LBF
