时间：2025/9/1 19:06:41
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IS61QDP2B42M36A-400M3L 是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution Inc.）生产的高速、低功耗的双端口静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件具有独立的端口，每个端口都可以对存储器进行读写操作，从而在多处理器系统、网络设备和通信设备中实现高效的数据共享。这款SRAM具有2M x 36位的存储容量，采用同步双端口设计，适用于高性能系统中需要高速数据访问的场景。该芯片采用先进的CMOS工艺制造，确保了低功耗和高可靠性。
容量：2M x 36位
组织结构：2M地址 x 36数据位
电源电压：2.3V - 3.6V
访问时间：400MHz
工作温度范围：商业级（0°C 至 70°C）
封装类型：165-TQFP
接口类型：同步双端口
时钟频率：最高支持400MHz
功耗：典型值约1.5W
封装尺寸：24mm x 24mm
IS61QDP2B42M36A-400M3L 的主要特性之一是其同步双端口架构，允许两个独立的主机同时访问存储器，而不会发生数据冲突。这种特性使其非常适合用于通信系统、路由器、交换机以及嵌入式系统中。该SRAM具有高速访问能力，最大频率可达400MHz，确保了系统在高负载下仍能保持快速响应。此外，该芯片支持独立的端口控制信号，每个端口都有独立的地址、数据和控制线，从而提高了系统的灵活性。
该器件采用先进的CMOS工艺制造，具有较低的静态和动态功耗，适用于对功耗敏感的应用场景。芯片内部集成了双向数据缓冲器，可有效减少外部信号干扰，并提高数据传输的稳定性。IS61QDP2B42M36A-400M3L 还支持自动省电模式，在不进行读写操作时降低功耗，延长设备的使用寿命。
此外，该SRAM还具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。其封装形式为165-TQFP，便于表面贴装，适用于自动化生产流程。整体来看，IS61QDP2B42M36A-400M3L 是一款高性能、高可靠性的双端口SRAM，广泛应用于需要高速数据交换的工业、通信和网络设备中。
IS61QDP2B42M36A-400M3L 主要用于需要高速数据存取和双端口访问能力的嵌入式系统和通信设备。其典型应用包括网络交换机、路由器、工业控制系统、图像处理设备、测试与测量仪器、高速缓存系统以及多处理器系统中的共享内存。由于其高速性能和低功耗特性，该芯片也常用于数据通信、视频处理和实时控制等对性能要求较高的领域。
IS61QDP2B42M36A-400M3L 的替代型号包括 Cypress 的 CY7C1555V18-400BZC 和 Renesas 的 IDT70V631S85PF-10B。
