时间：2025/9/1 15:22:07
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IS61QDB451236A-250M3L是一款高速、低功耗的SRAM（静态随机存取存储器）芯片，由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）制造。该芯片属于同步SRAM类别，具备高性能和高可靠性的特点，适用于需要快速数据访问的应用场景。
容量：512K x 36位
访问时间：250MHz
封装类型：165-BGA
工作温度：-40°C至+85°C
电源电压：2.3V至3.6V
接口类型：并行
数据宽度：36位
时钟频率：250MHz
功耗：典型值为1.2W
存储结构：同步SRAM
IS61QDB451236A-250M3L具有多项优异特性，使其在高性能存储应用中表现出色。首先，该芯片的访问时间为250MHz，能够满足高速数据读写的需求。其次，其工作电压范围为2.3V至3.6V，提供了较好的电源适应性，适用于多种电源设计环境。此外，IS61QDB451236A-250M3L采用了低功耗设计，有效降低了整体系统功耗，适用于对能耗敏感的应用场景。
该芯片采用165-BGA封装，确保了良好的散热性能和机械稳定性，适合在工业级温度范围（-40°C至+85°C）内稳定运行。IS61QDB451236A-250M3L的同步架构使得其能够与系统时钟精确同步，提高系统稳定性并减少时序误差。此外，该芯片支持多种操作模式，包括读写操作、保持模式和深度掉电模式，用户可以根据实际需求灵活配置以优化性能与功耗。
在数据完整性方面，IS61QDB451236A-250M3L具备较强的抗干扰能力和稳定性，适用于对数据可靠性要求较高的应用。该芯片还支持高速数据传输，适用于需要大量数据吞吐的系统，如网络设备、工业控制系统、图像处理设备等。
IS61QDB451236A-250M3L广泛应用于需要高速缓存和大容量存储的电子系统中。其主要应用领域包括但不限于：网络设备（如路由器、交换机）、通信设备（如基站、光模块）、工业控制设备（如PLC、自动化测试设备）、图像处理设备（如数码相机、视频采集卡）以及高性能嵌入式系统。该芯片的高速访问能力和低功耗特性使其成为对性能和能效都有较高要求的系统的理想选择。
IS61QDB451236A-250M3L的替代型号包括IS61QDB451236A-250M4L和IS61WDB451236A-250BLL等。
