时间：2025/8/12 15:24:58
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IS61QDB41M36C-250M3L 是一款由Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）生产的高速、低功耗的4Mbit（36位）SRAM芯片。该芯片采用先进的CMOS技术制造，提供高性能和低功耗的解决方案，适用于需要高速数据存取的应用场景。IS61QDB41M36C-250M3L 采用250MHz的访问速度，适用于网络设备、工业控制、通信系统和嵌入式应用等领域。
容量：4Mbit
组织方式：36位（x36）
访问时间：250MHz
工作电压：2.3V 至 3.6V
封装类型：165-BGA
工作温度范围：商业级（0°C 至 +70°C）
功耗：典型值为1.8W
接口类型：异步SRAM
数据输入/输出：36位并行
时序控制：支持异步地址访问
封装尺寸：17 x 19 mm
IS61QDB41M36C-250M3L SRAM芯片具备多项高性能特性，适合高要求的应用环境。该芯片的核心特性包括高速访问能力、低功耗设计、宽电压工作范围和高可靠性。其250MHz的访问频率支持快速数据读写，适用于需要实时处理和高频操作的系统，例如通信交换设备和工业控制模块。该芯片采用CMOS工艺，显著降低了功耗，同时在高速运行下仍能保持较低的热量输出，提高了系统的稳定性。
此外，IS61QDB41M36C-250M3L 支持2.3V至3.6V的宽电压范围，使其在多种电源环境下都能稳定运行，适用于多种应用场景，包括便携式设备和嵌入式系统。该芯片采用165-BGA封装，体积紧凑，适合空间受限的设计需求，同时具备良好的散热性能，提升了长期运行的可靠性。
该SRAM芯片还支持异步接口，简化了系统设计，降低了对外部时钟同步的要求，提升了兼容性和设计灵活性。其36位的数据宽度适用于需要高带宽数据处理的应用，如高速缓存、数据缓冲和实时信号处理。
IS61QDB41M36C-250M3L 适用于多种高性能嵌入式系统和工业应用。由于其高速读写能力和36位数据总线，它广泛用于网络设备中的数据缓存，如路由器和交换机。该芯片还常用于通信基础设施，如基站和光传输设备，作为高速缓冲存储器使用。此外，在工业控制、测试测量设备和视频处理系统中，该芯片也发挥了重要作用。其低功耗和高稳定性使其成为需要长时间运行的嵌入式系统的理想选择。
IS61QDB41M36C-250M3L 可以被 IS61QDB41M36A-250BLL 和 CY7C1391KV18-250BZC 作为替代型号使用，具体选择需根据电路设计和性能要求进行匹配。
