时间：2025/8/12 16:11:09
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IS61QDB41M36C-250M3是一款高性能、低功耗的静态随机存取存储器（SRAM）芯片，由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）制造。该型号属于同步突发SRAM类别，适用于需要高速数据访问和高可靠性的应用场合。IS61QDB41M36C-250M3采用先进的CMOS工艺制造，提供了36位的数据宽度和1M（256K x 36）的存储容量。
容量：1Mbit
组织方式：256K x 36
电压：2.3V - 3.6V
速度：250MHz
封装：165-TQFP
温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
IS61QDB41M36C-250M3具备高速同步操作能力，其最大频率可达250MHz，这使得它非常适合用于高速缓存或需要快速数据处理的系统中。该芯片采用双芯片使能（CE1和CE2）设计，可以轻松地与其他逻辑器件集成，从而实现更复杂的系统功能。
此外，IS61QDB41M36C-250M3具有低功耗特性，在待机模式下功耗极低，这有助于减少整个系统的能耗。其工作电压范围为2.3V至3.6V，允许在多种电源条件下稳定运行，增加了设计的灵活性。
该SRAM芯片的165-TQFP封装形式不仅节省空间，而且具备良好的散热性能，适合在高密度PCB设计中使用。同时，其工业级温度范围（-40°C至+85°C）确保了在恶劣环境条件下的稳定性和可靠性。
IS61QDB41M36C-250M3广泛应用于通信设备、网络基础设施、工业控制、嵌入式系统以及任何需要高速、低功耗SRAM的场合。例如，在路由器和交换机中，它可以作为高速缓存来存储临时数据，提高数据传输效率；在工业自动化设备中，可用于快速存储和检索控制参数和实时数据。
此外，由于其高可靠性和宽温度范围，IS61QDB41M36C-250M3也常用于航空航天和汽车电子等对元件稳定性要求极高的领域。在这些应用中，它能够确保关键系统在极端环境下仍能正常运行。
IS61QDB41M36C-250M3的替代型号包括IS61QDB41M36C-250T、IS61QDB41M36C-250S和IS61QDB41M36C-250BI
