时间：2025/9/1 8:44:42
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IS61QDB22M36A-333B4LI 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）制造的一款高性能、低功耗的SRAM（静态随机存取存储器）芯片。该器件属于其SyncBurst? SRAM系列，具有同步接口和突发访问模式，适用于需要高速数据存取的应用场景。IS61QDB22M36A-333B4LI 的存储容量为2M x 36位，工作频率高达333MHz，适用于网络设备、通信系统、工业控制和高性能计算等领域。
容量：2M x 36位
电压：2.3V - 3.6V
工作温度：-40°C 至 +85°C
封装类型：165-BGA
访问时间：333MHz
接口类型：同步
数据速率：333MHz
封装尺寸：11mm x 13mm
数据总线宽度：36位
突发模式：支持
IS61QDB22M36A-333B4LI 具备高性能和低功耗的双重优势，适用于各种高速缓存和数据缓冲应用。其同步接口允许与高速时钟同步工作，提高系统的数据传输效率。该芯片支持突发访问模式，可以在单次访问中连续读取或写入多个数据单元，显著提升存储器的带宽利用率。
此外，该SRAM芯片采用CMOS工艺制造，具备低功耗待机模式，适用于需要节能设计的系统。其工作电压范围为2.3V至3.6V，适应不同电源管理需求，并具备宽温工作范围（-40°C至+85°C），适合工业级应用环境。
封装方面，IS61QDB22M36A-333B4LI 采用165引脚BGA封装，尺寸紧凑（11mm x 13mm），适合在空间受限的PCB设计中使用。该封装形式也提供了良好的热性能和电气性能，有助于提高系统的稳定性与可靠性。
该芯片广泛应用于高速网络设备、路由器、交换机、通信基站、工业自动化控制系统、测试与测量设备、图像处理系统以及高性能嵌入式计算平台。其同步接口和高带宽特性使其非常适合需要快速数据访问和缓冲的场景，如缓存存储、帧缓冲、数据队列管理等。在通信设备中，该SRAM可作为临时数据存储器，支持高速数据包处理和转发。在工业控制领域，IS61QDB22M36A-333B4LI 可用于实时数据采集和缓存，确保系统响应的实时性和稳定性。
IS61QDB22M36A-333B4I, CY7C1370B-333BZXI, CY7C1360B-333BZXI
