时间：2025/9/1 10:46:11
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IS61NVP51236-200TQLI 是一颗由 Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）生产的高速、低功耗、3.3V供电的异步SRAM芯片，采用CMOS工艺制造，具有高可靠性和稳定性。该芯片属于ISSI的nvSRAM（非易失性SRAM）产品线，结合了SRAM的高速读写特性和非易失性存储器的数据保持能力。在断电情况下，该芯片可以通过外部电源（如电池）保持数据不丢失，适用于需要数据持久性和高性能的数据存储应用，如工业控制、通信设备、医疗仪器等。
容量：512K x 36 bit
组织方式：512K地址，每个地址36位
供电电压：3.3V
访问时间：20ns
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装形式：169-TQFP
接口类型：异步
读写模式：异步读/写
数据保持电源：Vbat引脚支持电池备份
IS61NVP51236-200TQLI 是一款高性能的非易失性SRAM器件，具备快速访问时间和低功耗运行的特点。其访问时间为20ns，能够满足高速缓存和实时数据存储的需求。芯片的供电电压为3.3V，工作电压范围宽，适应性强，能够在不同的工业环境中稳定运行。此外，该芯片内置数据保持电路，通过Vbat引脚连接电池，在主电源断开时可以保持数据不丢失，非常适合用于需要数据持久性的应用场景。
IS61NVP51236-200TQLI 采用169-TQFP封装，具有良好的热稳定性和抗干扰能力，适合嵌入式系统和高可靠性要求的设计。其异步接口设计使得其与多种微控制器和系统总线兼容，简化了系统设计和集成。芯片还支持高速读写操作，能够处理大量数据的实时缓存需求，如数据记录、日志存储等。
除了基本的SRAM功能外，该芯片还集成了自动电源检测和切换电路，在主电源下降到临界值以下时，会自动切换到备用电源，确保数据完整性。此外，该器件支持软件和硬件数据保护机制，防止意外写入或擦除，提高了系统的稳定性与数据安全性。这些特性使IS61NVP51236-200TQLI 成为工业自动化、网络设备、医疗仪器、航空航天等高可靠性领域的理想选择。
IS61NVP51236-200TQLI 广泛应用于需要高速、非易失性数据存储的场合，如工业控制系统、通信基站、路由器、交换机、医疗设备、测试仪器、航空航天电子设备等。其数据保持能力使其在断电情况下依然可以保留关键数据，因此也适用于数据记录仪、远程监控系统、智能电表等应用场景。
IS61NVP51236-200TLI
