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IS61NVP102418-250B3-TR 发布时间 时间:2025/12/28 17:54:57 查看 阅读:37

IS61NVP102418-250B3-TR 是一颗由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)设计制造的高速、低功耗、异步SRAM(静态随机存取存储器)芯片。该芯片适用于需要高速数据访问和高可靠性的应用场景,如工业控制、通信设备、网络基础设施、测试仪器等领域。IS61NVP102418-250B3-TR 采用先进的CMOS工艺制造,具有较高的集成度和稳定性。

参数

容量:1Mbit(128K x 8)
  电压范围:2.3V - 3.6V
  访问时间:250MHz
  封装形式:TSOP
  引脚数:54
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:无铅(RoHS兼容)

特性

IS61NVP102418-250B3-TR 是一款高性能异步SRAM芯片,具有出色的稳定性和可靠性。其高速访问时间(250MHz)使其适用于需要快速数据读写的系统,能够满足高性能嵌入式系统的存储需求。
  该芯片采用低功耗CMOS工艺,在保持高速运行的同时有效降低功耗,适合对功耗敏感的应用场景。此外,其宽电压范围(2.3V至3.6V)提供了良好的电源兼容性,能够在多种供电条件下稳定工作。
  IS61NVP102418-250B3-TR 支持标准的异步控制信号,包括地址、数据、读/写控制线,方便与各种主控芯片进行接口设计。其封装形式为TSOP,适用于表面贴装工艺,便于PCB布局和自动化生产。
  该芯片还具有良好的抗干扰能力和高噪声抑制性能,能够在工业级温度范围(-40°C至+85°C)下稳定运行,适合在严苛环境中使用。因此,IS61NVP102418-250B3-TR 被广泛应用于工业自动化、通信设备、测试仪器、汽车电子等高可靠性要求的领域。

应用

IS61NVP102418-250B3-TR 主要应用于需要高速、低功耗、高可靠性的存储器系统中。典型应用包括工业控制系统的缓存存储、网络设备的数据缓冲、通信模块的临时数据存储、测试测量仪器的高速数据采集与处理、汽车电子中的实时数据存储等。
  此外,该芯片也适用于图像处理、视频采集、嵌入式系统中的高速缓存扩展等场景。其宽温度范围和良好的稳定性使其成为工业级和车载级应用的理想选择。由于其异步接口设计,它还可以与多种处理器、FPGA和ASIC芯片无缝连接,提高系统的整体性能和稳定性。

替代型号

IS61NLP102418-250B3-TR, CY62157EV30LL-250BZXI, IDT71V124SA250B8GI

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IS61NVP102418-250B3-TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式SRAM
  • 技术SRAM - 同步,SDR
  • 存储容量18Mb
  • 存储器组织1M x 18
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率250 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间2.6 ns
  • 电压 - 供电2.375V ~ 2.625V
  • 工作温度0°C ~ 70°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳165-TBGA
  • 供应商器件封装165-TFBGA(13x15)