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IS61NVF25672-6.5B1I 发布时间 时间:2025/12/28 18:00:51 查看 阅读:26

IS61NVF25672-6.5B1I 是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产的高速异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片具有高性能、低功耗和高可靠性,广泛用于需要高速数据存储和快速访问的系统中。其容量为256K x 72位,工作电压为3.3V,适用于各种工业级应用环境。

参数

容量:256K x 72位
  电压:3.3V
  访问时间:6.5ns
  封装类型:BGA
  温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  接口类型:并行接口
  引脚数:165引脚
  封装尺寸:19x15mm
  数据保持电压:2.0V
  最大功耗:1.2W
  最大工作频率:144MHz

特性

IS61NVF25672-6.5B1I 的主要特性之一是其高速访问时间,仅为6.5ns,这使得它非常适合用于需要快速数据访问的应用。该芯片采用低功耗设计,能够在保持高性能的同时减少能耗。其3.3V工作电压符合现代电子设备的电源标准,同时具备2.0V数据保持电压,确保在电源波动时数据不会丢失。
  此外,该SRAM芯片采用165引脚BGA封装,适用于紧凑型电路设计,并具有良好的散热性能。工业级温度范围(-40°C 至 +85°C)使其能够在各种恶劣环境中稳定运行。该芯片还具备高速并行接口,支持快速的数据传输和处理,满足高性能系统的需求。

应用

IS61NVF25672-6.5B1I 主要应用于需要高速缓存和快速数据处理的系统中,例如网络设备、通信设备、工业控制设备、医疗仪器和高性能计算设备。在路由器和交换机中,该芯片可用于存储和处理高速传输的数据包,提高系统的整体性能。在工业控制设备中,它能够提供稳定的数据存储和快速访问功能,确保系统在复杂环境下的可靠运行。
  此外,该芯片还适用于需要长时间运行和高可靠性的医疗仪器,如影像设备和监测设备。在这些应用中,IS61NVF25672-6.5B1I 的低功耗和高速性能可以有效提高设备的效率和稳定性。由于其工业级温度范围,该芯片也广泛用于户外和工业现场的设备中,确保在各种环境条件下都能正常工作。

替代型号

IS61NVF25672-6.5B1GTR、IS61NVF25672-6.5B1I-TR、IS61LV25672-6.5B1I

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IS61NVF25672-6.5B1I参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式SRAM
  • 技术SRAM - 同步,SDR
  • 存储容量18Mb
  • 存储器组织256K x 72
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率133 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间6.5 ns
  • 电压 - 供电2.375V ~ 2.625V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳209-BGA
  • 供应商器件封装209-LFBGA(14x22)