容量：9Mb（256K x 36）
　　电压范围：2.3V 至 3.6V
　　访问时间：200MHz（最大）
　　封装类型：165-ball BGA
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　工艺技术：CMOS
　　数据输入/输出：36位
　　最大工作电流：待机电流低至10mA
　　封装尺寸：14mm x 17mm

IS61NLP25636A200B3LI 采用高性能CMOS技术制造，具有出色的读写速度和稳定性，其访问时间可达200MHz，适用于需要高速数据存取的应用场景。
　　该SRAM芯片支持低功耗模式，在待机状态下电流消耗可低至10mA，有助于降低系统整体功耗，提高能效。
　　其165-ball BGA封装形式提供了良好的电气性能和机械稳定性，适用于高密度PCB布局。
　　芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C，符合工业级标准，适用于严苛环境下的应用。
　　该器件无内部总线竞争问题，支持异步读写操作，具备高可靠性和长寿命，适用于网络交换设备、路由器、工业控制器和测试仪器等关键系统。

IS61NLP25636A200B3LI 广泛应用于网络通信设备（如路由器、交换机）、工业自动化控制系统、测试与测量仪器、嵌入式系统、数据采集设备以及高性能计算模块等领域。
　　其高速访问能力和低功耗特性使其成为需要快速数据缓存和临时存储的理想选择。
　　在通信系统中可用于数据包缓存、地址查找表、高速缓存存储等关键功能模块。
　　在工业控制中可用于实时数据处理和存储，提升系统响应速度和稳定性。
　　此外，该芯片也适用于军工和航空航天等高可靠性要求的场合。

CY7C1360B-200BZXI、IDT71V41636A200BG、IS61WLP25636A200B3LI、IS64WLP25636A200B3TI