时间：2025/9/1 10:38:16
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IS61NLP25636A-200TQLI 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）生产的一款高速、低功耗的SRAM（静态随机存取存储器）芯片。该芯片属于高性能异步SRAM产品系列，主要面向网络、通信、工业控制以及高端嵌入式系统等对数据访问速度和稳定性要求较高的应用领域。IS61NLP25636A-200TQLI 提供了256K x 36位的存储容量，采用CMOS工艺制造，具备高速访问时间和低功耗运行的双重优势。
容量：256K x 36位
电源电压：2.3V 至 3.6V
最大访问时间：200MHz
封装类型：165-TQFP
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
I/O类型：异步
功耗：典型待机电流 < 10mA
数据宽度：36位
IS61NLP25636A-200TQLI 的设计采用了先进的CMOS技术，以实现高速操作和低功耗运行。该芯片具有宽电压工作范围（2.3V至3.6V），适用于多种电源配置的系统。其最大访问时间为200MHz，确保了快速的数据读写能力，适合用于缓存、数据缓冲和高性能嵌入式系统中。
该SRAM芯片具备异步控制信号，允许与多种处理器和控制器无缝连接，简化系统设计。此外，其低待机电流特性使其在低功耗应用场景中表现优异，特别适用于需要长时间运行而功耗受限的设备。
IS61NLP25636A-200TQLI 还具有优异的抗干扰能力，确保在工业级温度范围内（-40°C至+85°C）稳定工作。该封装形式为165-TQFP，便于表面贴装，适用于高密度PCB设计。
IS61NLP25636A-200TQLI 常用于需要高速数据访问和低功耗特性的嵌入式系统、网络设备、通信模块、工业控制器、图像处理系统以及测试测量设备。由于其36位数据宽度，特别适合需要高带宽数据处理的应用，例如高速缓存、数据缓冲器和实时控制系统。
IS61NLP25636A-200TQ、IS61LV25636A-200TQLI、CY7C1380D-200BZC、IDT71V41636A-200BQI
