时间：2025/9/1 13:31:54
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IS61NLP102436B-200B3LI 是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）制造的高速、低功耗、异步静态随机存取存储器（SRAM）芯片。这款SRAM采用先进的CMOS工艺制造，具有高可靠性和稳定性，适用于需要高速数据访问和低功耗操作的场景。
容量：1M x 36 位
访问时间：200MHz
工作电压：1.7V - 3.6V
封装类型：BGA
温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
引脚数：165
数据总线宽度：36位
地址总线宽度：20位
功耗：典型工作电流约100mA
IS61NLP102436B-200B3LI 是一款高性能的异步SRAM，具有低功耗特性和高速访问能力。该芯片在1.7V至3.6V的宽电压范围内工作，使其适用于多种电源环境。该SRAM的访问时间为200MHz，适合需要快速数据存取的应用，如网络设备、工业控制、通信设备等。
这款SRAM采用了先进的CMOS工艺，能够在高速运行的同时保持较低的功耗，非常适合需要长时间稳定运行的系统。其异步控制信号支持灵活的读写操作，简化了系统设计。此外，IS61NLP102436B-200B3LI 提供165引脚的BGA封装，适用于紧凑型电路板布局，并具有良好的散热性能。
IS61NLP102436B-200B3LI 主要用于需要高速缓存、大容量存储和低功耗运行的嵌入式系统。典型应用包括通信设备中的数据缓存、工业控制系统的临时存储、测试仪器的高速数据缓冲以及网络设备的数据交换存储等。由于其异步SRAM的特性，该芯片也适用于需要快速响应和高效数据处理的场合。
IS61NLP102436B-200B3TA、IS61NLP102436B-200B4LI、IS61NLP102436A-200B3LI
