IS61NLF51218A-7.5TQLI是一款高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片,由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)制造。这款SRAM属于高性能、低功耗的异步SRAM产品系列,适用于需要快速数据存取和高可靠性的应用场景。
容量:512K x 18位
访问时间:7.5ns
封装类型:TQFP(Thin Quad Flat Package)
引脚数:119
工作电压:2.3V 至 3.6V
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
最大频率:111MHz
封装尺寸:14mm x 20mm
接口类型:异步(Asynchronous)
数据总线宽度:18位
最大静态电流:约10mA(待机模式)
IS61NLF51218A-7.5TQLI以其高速访问时间著称,适合需要快速数据存取的应用,如网络设备、通信系统和工业控制设备。该芯片采用低功耗设计,在待机模式下功耗极低,有助于延长设备的使用寿命并降低能耗。此外,该SRAM具有宽电压范围(2.3V至3.6V),能够适应不同的电源设计需求,并确保在不同环境下的稳定运行。其TQFP封装形式不仅节省空间,还具备良好的散热性能,适合高密度PCB布局。该芯片的工业级工作温度范围(-40°C至+85°C)使其适用于严苛的工业和通信环境。另外,18位的数据总线宽度使其在处理宽数据时更加高效,提升了系统性能。
IS61NLF51218A-7.5TQLI还具备优异的抗干扰能力和稳定性,能够在高频操作下保持数据完整性。其异步接口设计简化了系统设计,无需复杂的时钟同步机制,适用于多种嵌入式系统和实时控制系统。此外,该芯片支持多种封装选项,便于用户根据具体应用需求进行选型。
IS61NLF51218A-7.5TQLI广泛应用于通信基础设施,如路由器、交换机和基站设备,作为高速缓存或数据缓冲器使用。在工业自动化领域,它常用于PLC(可编程逻辑控制器)和嵌入式控制系统中,提供快速可靠的数据存储。此外,该芯片也适用于测试测量设备、医疗电子设备以及高性能计算模块,满足对存储速度和稳定性的高要求。其低功耗和高可靠性也使其成为航空航天和车载电子系统中的理想选择。
IS61NLF51218B-7.5TQLI, IS61NLF51218A-10TQLI