IS61LV6416-10T是一款高速、低功耗的CMOS静态随机存取存储器(SRAM),由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产。该芯片具有64K x 16位的存储容量,总共存储1M位的数据。IS61LV6416-10T采用了先进的CMOS技术,确保高速访问时间,同时保持较低的功耗,适用于各种高性能电子设备。
容量:1Mbit
组织结构:64K x 16位
电源电压:3.3V或5V可选
访问时间:10ns
工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
封装类型:TSOP(Thin Small Outline Package)
封装引脚数:54
数据输入/输出:16位并行I/O
最大工作频率:约100MHz(依据访问时间计算)
功耗:典型值为100mA(待机模式下功耗更低)
IS61LV6416-10T具有多项卓越的性能特点,适用于对速度和可靠性要求较高的应用场景。首先,它的访问时间为10ns,这使得它能够支持高达100MHz的读写频率,适用于高速缓存、网络设备和工业控制系统等对响应时间要求严格的场合。其次,该芯片支持3.3V或5V电源供电,具有良好的电压兼容性,能够适应多种系统设计需求。
在功耗方面,IS61LV6416-10T采用了低功耗CMOS技术,在正常工作模式下功耗较低,在待机模式下功耗进一步降低,适合用于便携式设备和节能型系统。此外,该SRAM芯片具有宽温度范围(-40°C至+85°C),符合工业级标准,适用于工业自动化、通信设备和车载电子系统等严苛环境。
IS61LV6416-10T采用54引脚TSOP封装,体积小巧,便于在PCB上布局,并具有良好的散热性能。其16位并行数据接口提供了较高的数据吞吐能力,适合用于需要频繁访问存储器的嵌入式系统和图像处理设备。
IS61LV6416-10T广泛应用于需要高速存储器的系统中。典型应用包括网络设备(如路由器和交换机)中的高速缓存、工业控制系统的实时数据存储、嵌入式系统的程序和数据存储、通信设备的缓冲区管理,以及图像处理设备中的帧缓存。此外,它也适用于测试设备、自动化仪器和车载电子系统等领域,满足对数据访问速度和稳定性要求较高的应用场景。
IS61LV6416-10B, CY62148EVLL-45ZSXI, IDT71V416SA10PFGI