IS61LV51216 时间：2025/7/23 19:20:04 阅读：8

IS61LV51216是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）制造的高速、低功耗的CMOS静态随机存取存储器（SRAM）芯片，容量为512K x 16位。该芯片广泛应用于需要高性能和低功耗的系统中，例如通信设备、网络设备、工业控制设备以及嵌入式系统等。IS61LV51216采用标准的并行接口设计，支持异步读写操作，工作电压为3.3V，具备较高的可靠性和稳定性。

参数

容量：512K x 16位
　　工作电压：3.3V（典型值）
　　访问时间：10ns / 12ns / 15ns（根据具体后缀不同）
　　封装形式：TSOP（Thin Small Outline Package）和BGA（Ball Grid Array）
　　温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　数据保持电压：1.5V
　　待机电流：最大10mA（典型值）
　　读取电流：最大200mA（典型值）
　　封装引脚数：54引脚（TSOP）
　　接口类型：异步并行接口
　　封装尺寸：标准存储器封装，符合JEDEC标准

特性

IS61LV51216具有多项优异的性能特性，首先是其高速访问能力，提供10ns、12ns和15ns等多种访问时间选项，能够满足不同性能需求的系统设计。其次，该芯片具备低功耗特性，在待机模式下电流消耗极低，适合需要节能设计的应用场景。
　　此外，IS61LV51216采用了CMOS工艺制造，具备较高的抗干扰能力和稳定性，能够在较宽的温度范围内可靠工作，适用于工业级和车载级应用。芯片的异步并行接口设计简化了系统集成，与多种控制器和处理器兼容。
　　IS61LV51216还支持数据保持模式，在系统断电情况下，仅需维持1.5V的电源电压即可保持数据不丢失，非常适合需要数据持久保存的低功耗应用。封装形式上，TSOP和BGA选项提供了不同的空间布局灵活性，便于PCB设计优化。
　　总体而言，IS61LV51216是一款兼具高性能、低功耗和高可靠性的SRAM芯片，适用于各种需要高速存储器的嵌入式和工业应用。

应用

IS61LV51216广泛应用于需要高速存储和低功耗特性的系统中，如网络路由器、交换机、工业控制设备、测试测量仪器、医疗设备、汽车电子系统以及便携式电子产品等。由于其异步并行接口兼容性强，它也常被用于与各种微控制器（MCU）和数字信号处理器（DSP）配合使用的外部存储器扩展设计。此外，其低功耗和数据保持能力使其在电池供电设备和需要断电数据保持的系统中具有重要应用价值。