时间：2025/7/26 15:22:51
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IS61LV51216-12TI 是一颗由 Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）制造的高速异步静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该芯片的容量为512K x 16位，采用高速CMOS工艺制造，具有低功耗和高速访问时间的特点。IS61LV51216-12TI 适用于需要高性能和低功耗的数据存储应用，如网络设备、通信设备、工业控制系统和嵌入式系统。
容量：512K x 16位
访问时间：12ns
电源电压：3.3V
封装类型：TSOP
工作温度：工业级（-40°C 至 +85°C）
接口类型：并行
封装引脚数：54
封装尺寸：标准TSOP
输入/输出类型：三态输出
最大工作频率：约83MHz（基于12ns访问时间）
IS61LV51216-12TI 具有多个显著的性能特点。首先，其高速访问时间为12ns，能够满足高性能系统对数据快速存取的需求，适用于高速缓存、数据缓冲等场景。其次，该芯片采用低功耗设计，在待机模式下功耗极低，适合需要节能设计的应用。此外，IS61LV51216-12TI 提供了三态输出功能，使其在共享总线系统中可以与其他存储器或外设共存而不造成总线冲突。
该SRAM芯片的电源电压为3.3V，降低了系统功耗，并简化了电源管理设计。芯片的TSOP封装形式使其适用于高密度PCB布局，节省空间并提高系统的整体可靠性。此外，IS61LV51216-12TI 支持工业级温度范围（-40°C 至 +85°C），适用于各种严苛环境条件下的应用，如工业控制、自动化设备和车载系统。
IS61LV51216-12TI 的应用领域广泛。在通信设备中，该芯片可作为高速数据缓存或临时存储器，用于提升数据处理效率。在工业控制系统中，它可用于存储程序或实时数据，确保系统运行的稳定性和响应速度。此外，该芯片也适用于嵌入式系统中的高速缓存需求，如路由器、交换机、打印机和智能终端设备。由于其低功耗特性，IS61LV51216-12TI 也常用于便携式设备或需要长时间运行的电池供电系统中。在需要高速存储和低功耗的场合，该芯片都能提供稳定的性能支持。
IS61LV51216-10TI, CY62148EVLL, IDT71V416SA, IS64LV51216
