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IS61LV2568L-10TL-TR 发布时间 时间:2025/7/26 15:29:58 查看 阅读:32

IS61LV2568L-10TL-TR是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产的高速异步静态随机存取存储器(SRAM),其容量为256K x 8位。该SRAM芯片采用高性能CMOS技术制造,具有低功耗和高速访问时间的特点,适用于需要快速数据存取的嵌入式系统和工业控制设备。

参数

容量:256K x 8位
  访问时间:10ns
  电源电压:3.3V
  封装类型:TSOP
  温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
  数据宽度:8位
  输入/输出类型:TTL兼容
  最大工作频率:100MHz

特性

IS61LV2568L-10TL-TR具有多项显著特性,首先是其高速访问时间,仅为10ns,使得该芯片能够在高频工作环境下提供快速的数据存取能力,适用于需要高性能存储解决方案的应用场景。其次是低功耗设计,该芯片在保持高性能的同时,通过CMOS技术实现了较低的功耗,这对于电池供电或对热管理要求较高的系统来说是一个重要优势。
  此外,IS61LV2568L-10TL-TR采用3.3V电源供电,符合现代电子系统对低压电源的需求,同时具备TTL兼容的输入/输出接口,便于与各种逻辑电路连接。其TSOP封装形式有助于减少PCB空间占用并提高散热性能,适用于紧凑型设计。
  该SRAM芯片还具备良好的稳定性和可靠性,能够在工业级温度范围(-40°C至+85°C)内稳定工作,适用于工业自动化、网络设备、通信模块等对环境适应性要求较高的应用场合。IS61LV2568L-10TL-TR没有内置的刷新电路,作为异步SRAM,其操作更加灵活,适用于需要快速响应和低延迟的系统设计。

应用

IS61LV2568L-10TL-TR广泛应用于需要高速数据存储和快速访问的系统中。典型应用包括工业控制设备中的缓存存储器、通信设备中的数据缓冲区、医疗设备中的实时数据处理单元、网络设备中的路由表存储器以及嵌入式系统的临时数据存储区。由于其高速度和低功耗特性,该芯片也适用于便携式电子产品、自动化测试设备(ATE)以及高性能计算模块。

替代型号

IS61LV25616-10TL-TR, CY62148EVLL-45ZE3, IDT71V128SA-10SC, IS62WV2568BLL-10TL-TR

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IS61LV2568L-10TL-TR参数

  • 制造商ISSI
  • 产品种类静态随机存取存储器
  • 存储容量2 Mbit
  • 组织256 K x 8
  • 访问时间10 ns
  • Supply Voltage - Max3.63 V
  • Supply Voltage - Min2.97 V
  • 最大工作电流60 mA
  • 最大工作温度+ 70 C
  • 最小工作温度0 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体TSOP-44
  • 封装Reel
  • 接口TTL
  • 端口数量1
  • 工厂包装数量1000
  • 类型Asynchronous