时间：2025/7/16 20:16:13
阅读：35
IS61LV25616AL-12TI是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）制造的高速、低功耗的CMOS静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该芯片的存储容量为256K x 16位，适合需要大容量高速存储的应用场景。这款SRAM芯片采用高性能CMOS技术制造，提供高速访问时间，适用于工业级温度范围。IS61LV25616AL-12TI通常被广泛应用于通信设备、网络设备、工业控制系统、嵌入式系统以及需要高性能存储解决方案的其他领域。
容量：256K x 16位
组织结构：256K地址，每个地址16位宽
访问时间：12ns
工作电压：3.3V
封装类型：TSOP
引脚数量：54
工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
封装尺寸：标准TSOP尺寸
接口类型：并行接口
最大频率：约83MHz
待机电流：低功耗模式支持
数据保持电压：1.5V至3.6V
IS61LV25616AL-12TI具有多项优良特性，使其在高性能SRAM市场中占据重要地位。
首先，它的高速访问时间为12ns，支持高达83MHz的操作频率，非常适合对速度要求较高的应用。这种高速度使得它能够在复杂的嵌入式系统中提供快速的数据存取能力。
其次，该芯片采用了低功耗CMOS技术，在保证高速性能的同时，降低了功耗。在待机模式下，芯片的电流消耗极低，有助于延长电池供电设备的续航时间。
此外，该SRAM芯片支持宽温度范围（-40°C 至 +85°C），适用于工业和嵌入式应用环境，确保在恶劣条件下仍能稳定工作。
IS61LV25616AL-12TI还具备良好的抗干扰能力和稳定性，能够有效防止外部电磁干扰对数据存储的影响。其TSOP封装形式不仅体积小巧，而且具有良好的散热性能，适用于空间受限的设计。
最后，该芯片支持数据保持电压在1.5V至3.6V之间，使其在低电压环境下仍能保持数据完整性，适用于多种电源管理方案。
IS61LV25616AL-12TI适用于多种高性能存储应用场合。
在通信设备中，该芯片可用作高速缓存或临时数据存储器，以提高数据处理速度和系统响应能力。在路由器、交换机和无线基站等网络设备中，IS61LV25616AL-12TI能够提供快速的数据缓冲能力，确保网络传输的稳定性。
在工业控制系统中，该芯片可作为主控制器的外部存储器，用于存储实时数据、程序代码或配置信息。其工业级温度范围确保在高温或低温环境下仍能可靠运行。
嵌入式系统方面，IS61LV25616AL-12TI广泛应用于工业自动化设备、医疗仪器、测试设备和智能仪表等产品中。由于其高速访问时间和低功耗特性，特别适合用作实时数据处理的存储单元。
此外，该芯片也可用于高性能图像处理设备、视频采集系统以及需要快速数据访问的其他应用场合。
IS61LV25616AL-10TI, CY7C1041CV33-12ZSXI, IDT71V416SA12PFG, IS61WV25616BLL-12
