IS61LV12824-8TQ是一款高速异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片,由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)制造。该芯片具有128K x 24位的存储容量,适用于需要高速存储和低延迟访问的应用场景。其异步设计使其能够在没有时钟同步的情况下运行,适用于多种嵌入式系统和数据存储需求。
容量:128K x 24位
电压范围:3.3V(通常)
访问时间:8ns
封装类型:TQFP(Thin Quad Flat Package)
引脚数:54
工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
数据保持电压:2.0V至3.6V
最大工作频率:125MHz
功耗:典型值180mA(待机模式下电流低至10mA)
IS61LV12824-8TQ是一款高性能异步SRAM芯片,采用CMOS工艺制造,具有低功耗和高速访问的特性。其8ns的访问时间确保了快速的数据读写能力,适用于实时系统和高性能嵌入式应用。芯片支持异步操作,无需外部时钟控制,简化了电路设计。此外,该器件具备低待机电流,适合需要节能设计的系统。TQFP封装提供较好的热性能和空间利用率,适用于紧凑型电子设备。IS61LV12824-8TQ还具有良好的抗干扰能力,可在工业级温度范围内稳定工作。
IS61LV12824-8TQ广泛应用于需要高速数据存储和缓冲的系统,如工业控制器、嵌入式系统、通信设备、网络路由器和交换机、医疗设备以及汽车电子系统等。由于其异步特性,它也适用于需要灵活接口设计的微处理器和微控制器系统。
IS61LV12824-8TQI、IS61LV12824-10TQ、IS61LV25624-8TQ