时间：2025/9/1 9:39:00
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IS61LV12824-8TQ是一款高速异步静态随机存取存储器（SRAM）芯片，由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）制造。该芯片具有128K x 24位的存储容量，适用于需要高速存储和低延迟访问的应用场景。其异步设计使其能够在没有时钟同步的情况下运行，适用于多种嵌入式系统和数据存储需求。
容量：128K x 24位
电压范围：3.3V（通常）
访问时间：8ns
封装类型：TQFP（Thin Quad Flat Package）
引脚数：54
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
数据保持电压：2.0V至3.6V
最大工作频率：125MHz
功耗：典型值180mA（待机模式下电流低至10mA）
IS61LV12824-8TQ是一款高性能异步SRAM芯片，采用CMOS工艺制造，具有低功耗和高速访问的特性。其8ns的访问时间确保了快速的数据读写能力，适用于实时系统和高性能嵌入式应用。芯片支持异步操作，无需外部时钟控制，简化了电路设计。此外，该器件具备低待机电流，适合需要节能设计的系统。TQFP封装提供较好的热性能和空间利用率，适用于紧凑型电子设备。IS61LV12824-8TQ还具有良好的抗干扰能力，可在工业级温度范围内稳定工作。
IS61LV12824-8TQ广泛应用于需要高速数据存储和缓冲的系统，如工业控制器、嵌入式系统、通信设备、网络路由器和交换机、医疗设备以及汽车电子系统等。由于其异步特性，它也适用于需要灵活接口设计的微处理器和微控制器系统。
IS61LV12824-8TQI、IS61LV12824-10TQ、IS61LV25624-8TQ
