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IS61LV12816-12TI 发布时间 时间:2025/9/1 8:37:33 查看 阅读:9

IS61LV12816-12TI 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件属于异步SRAM类别,具有128K x 16位的存储容量,适用于需要快速读写和低延迟的系统应用。这款芯片采用高性能CMOS工艺制造,具备低功耗和高可靠性的特点,广泛用于工业控制、通信设备、网络设备以及嵌入式系统中。

参数

容量:128K x 16位
  电源电压:3.3V ± 10%
  访问时间:12ns
  封装类型:TSOP
  引脚数:54
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  最大工作频率:约83MHz(基于访问时间计算)
  数据保持电压:2V
  输入/输出电平:CMOS兼容
  封装尺寸:约18.4mm x 13.0mm

特性

IS61LV12816-12TI 采用了高性能CMOS工艺,确保了高速读写能力和较低的功耗表现。其访问时间仅为12纳秒,能够满足高速缓存或实时数据处理的需求。该芯片支持异步操作,无需时钟同步即可完成数据读写,提高了系统的灵活性。此外,IS61LV12816-12TI 提供低待机电流,在系统空闲时可有效降低功耗,延长设备续航时间。其工作温度范围宽,适用于工业级应用环境。该芯片还具备良好的抗干扰能力,可在高噪声环境中稳定工作。
  在封装方面,IS61LV12816-12TI 采用54引脚TSOP封装,有助于提高PCB布局的灵活性,并具备良好的散热性能。其CMOS输入/输出电平兼容性使其能够方便地与各种控制器或处理器接口连接。该SRAM芯片还支持数据保持模式,在电源电压下降到2V时仍可保持存储数据不丢失,适用于需要断电数据保护的应用场景。

应用

IS61LV12816-12TI 主要用于需要高速数据存取的场合,如嵌入式系统的高速缓存、工业控制设备中的数据缓冲、通信设备中的临时存储、网络设备中的数据交换缓存等。此外,该芯片也适用于图像处理设备、测试仪器、医疗设备和汽车电子系统等需要高性能SRAM的领域。

替代型号

IS61LV12816-10TI, CY62148EVLL, IDT71V128SA, IS61LV12816-15TI

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