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IS61LV12816-10TLI 发布时间 时间:2025/9/1 15:13:47 查看 阅读:8

IS61LV12816-10TLI 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件的存储容量为128K x 16位,采用高性能CMOS技术制造,适用于需要快速数据存取的工业和通信应用。该芯片采用52引脚TSOP封装,工作温度范围为工业级(-40°C至+85°C),适合在严苛环境中使用。

参数

容量:128K x 16位
  组织结构:128K地址,每个地址16位
  访问时间:10 ns
  工作电压:3.3V
  封装类型:52引脚TSOP
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  输入/输出电平:TTL兼容
  封装尺寸:18.4 mm x 12.0 mm x 1.0 mm(典型)

特性

IS61LV12816-10TLI 是一款高性能SRAM芯片,具有低功耗、高速访问和宽温度范围等特性。其10ns的访问时间确保了快速的数据读写操作,使其适用于网络设备、工业控制系统、通信基础设施等对性能要求较高的应用。该芯片的TTL兼容输入/输出接口使其能够轻松集成到多种系统中。此外,它采用CMOS工艺制造,具备良好的抗干扰能力和稳定性。在电源管理方面,IS61LV12816-10TLI 提供了待机模式,可以有效降低功耗,延长设备电池寿命(如在便携式或低功耗应用中)。其52引脚TSOP封装结构紧凑,适合高密度PCB布局,满足现代电子产品对空间利用率的要求。
  该芯片的引脚设计支持标准异步SRAM接口,包括地址线(A0-A16)、数据线(DQ0-DQ15)、控制信号(CE#、OE#、WE#)等,便于与微处理器、FPGA或ASIC等主控单元连接。此外,其宽温度范围(-40°C至+85°C)确保了在工业环境中的可靠运行,例如工厂自动化设备、户外通信基站等应用场景。

应用

IS61LV12816-10TLI 主要应用于需要高速数据缓冲和存储的场合,例如通信设备中的数据缓存、工业控制系统的临时数据存储、图像处理设备的帧缓存、网络交换设备中的路由表存储、测试测量仪器的数据缓冲等。此外,它也适用于嵌入式系统、医疗设备、航空航天电子系统等对稳定性和可靠性要求较高的领域。

替代型号

CY62148EVLL-45ZSXC, IDT71V128SA10PFG, IS62WV12816BLL-10TLI

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