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IS61LPS51236A-200B3LI-TR 发布时间 时间:2025/12/28 17:47:45 查看 阅读:41

IS61LPS51236A-200B3LI-TR是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产的高速、低功耗的SRAM(静态随机存取存储器)芯片。该芯片属于异步SRAM类别,具有高性能和高可靠性的特点,适用于对存储速度和稳定性要求较高的工业和通信应用。

参数

容量:512K x 36位
  组织结构:512K地址 x 36数据位
  电压范围:2.3V至3.6V
  访问时间:200MHz
  封装类型:165-BGA(球栅阵列)
  工作温度:-40°C至+85°C(工业级温度范围)
  接口类型:异步
  功耗:典型值为150mA(待机模式下电流更低)
  封装尺寸:17mm x 17mm

特性

IS61LPS51236A-200B3LI-TR具有多种优异特性,确保其在各种复杂环境下稳定运行。首先,该芯片采用了先进的CMOS工艺制造,不仅提升了整体性能,还降低了功耗,使其适用于对能耗敏感的应用场景。其次,其异步接口设计使得控制信号灵活,能够与多种微处理器和控制器兼容,从而提高了系统集成的便利性。
  此外,IS61LPS51236A-200B3LI-TR的高速访问时间(200MHz)使得数据读写速度极快,满足对实时数据处理要求较高的应用需求。其高可靠性设计包括内置的错误检测和纠正机制,能够有效防止因数据错误导致的系统故障,提升了系统的稳定性。
  该芯片的工作温度范围宽广(-40°C至+85°C),符合工业级标准,适用于各种严苛的环境条件,如工业控制、通信设备、网络路由器和交换机等。封装形式为165-BGA,提供了良好的电气性能和机械稳定性,适合高密度PCB布局。
  总体而言,IS61LPS51236A-200B3LI-TR是一款综合性能优异的SRAM芯片,具备高速、低功耗、高可靠性和宽工作温度范围等优点,能够满足高端应用对存储性能的严格要求。

应用

IS61LPS51236A-200B3LI-TR广泛应用于多个高性能电子系统领域。在工业自动化领域,该芯片可用于高速数据缓存和实时控制系统,确保设备运行的稳定性和响应速度。在通信设备中,例如路由器、交换机和基站模块,该SRAM用于临时存储高速数据流,满足通信协议对存储带宽和速度的需求。
  此外,该芯片也适用于网络设备中的数据包缓冲和高速数据交换,提升整体网络传输效率。在高端消费类电子产品中,如智能电视、高性能音频设备和游戏主机,IS61LPS51236A-200B3LI-TR可用于提升系统响应速度和图形处理性能。
  由于其宽温度范围和高可靠性,该芯片也常用于航空航天、国防电子等对稳定性要求极高的领域,如雷达系统、导航设备和嵌入式控制系统等。总的来说,IS61LPS51236A-200B3LI-TR凭借其高性能和稳定性,广泛适用于需要高速存储和可靠运行的多种电子系统。

替代型号

IS61LPS51236A-200B4LI-TR, CY7C1512KV18-200BZXI, IDT71V41636A-10B8GI

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IS61LPS51236A-200B3LI-TR参数

  • 制造商ISSI
  • 产品种类静态随机存取存储器
  • 存储容量18 Mbit
  • 访问时间3.1 ns
  • Supply Voltage - Max3.465 V
  • Supply Voltage - Min3.135 V
  • 最大工作电流475 mA
  • 最大工作温度+ 85 C
  • 最小工作温度- 40 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体BGA
  • 封装Reel
  • 最大时钟频率200 MHz
  • 端口数量4
  • 工厂包装数量2000
  • 类型Synchronous